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刘波

作品数：3 被引量：0H指数：0
供职机构：中国电子科技集团公司第十三研究所更多>>
相关领域：电子电信理学更多>>

合作作者

领域

  • 13个电子电信
  • 10个理学
  • 7个一般工业技术
  • 6个金属学及工艺
  • 4个化学工程
  • 3个自动化与计算...
  • 2个电气工程
  • 1个核科学技术
  • 1个文化科学

主题

  • 13个衬底
  • 11个异质结
  • 10个迁移
  • 10个迁移率
  • 10个晶体管
  • 10个蓝宝
  • 10个蓝宝石
  • 10个蓝宝石衬底
  • 9个截止频率
  • 9个HFET
  • 9个场效应
  • 9个场效应晶体管
  • 8个二极管
  • 8个GAN
  • 7个氮化镓
  • 7个肖特基
  • 5个电极
  • 5个生长温度
  • 4个单片集成
  • 4个单片集成电路

机构

  • 12个中国电子科技...
  • 5个河北半导体研...
  • 5个中国电子科技...
  • 5个专用集成电路...
  • 1个哈尔滨工业大...
  • 1个四川大学
  • 1个河北工业大学

资助

  • 6个国家自然科学...
  • 2个国家重点基础...
  • 2个国家部委资助...
  • 2个河北省自然科...
  • 1个国家杰出青年...
  • 1个河北省杰出青...

传媒

  • 9个第十三届全国...
  • 7个半导体技术
  • 4个微纳电子技术
  • 4个第十届全国M...
  • 3个Journa...
  • 3个物理学报
  • 3个第十六届全国...
  • 3个2011’全...
  • 2个红外与毫米波...
  • 2个真空科学与技...
  • 2个第十五届全国...
  • 2个2013‘全...
  • 1个科技通报
  • 1个化工学报
  • 1个中国标准化
  • 1个硅酸盐学报
  • 1个电子技术应用
  • 1个无机材料学报
  • 1个四川大学学报...
  • 1个物理化学学报

地区

  • 5个河北省
  • 1个黑龙江省
共 13 条 记 录，以下是 1-10
尹甲运
供职机构：中国电子科技集团第十三研究所
研究主题：氮化镓 氮化物 GAN 衬底 高电子迁移率晶体管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
梁栋
供职机构：中国电子科技集团公司第十三研究所
研究主题：MOCVD GAN材料 GAN SI衬底 SI
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
冯志红
供职机构：中国电子科技集团公司第十三研究所
研究主题：太赫兹 共振隧穿二极管 HFET 迁移率 异质结
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
邢东
供职机构：中国电子科技集团公司第十三研究所
研究主题：太赫兹 击穿电压 硫钝化 GAAS GAASMESFET
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
敦少博
供职机构：中国电子科技集团第十三研究所
研究主题：氧化镓 沟道 势垒 微电子器件 电子束曝光
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
房玉龙
供职机构：中国电子科技集团第十三研究所
研究主题：氮化镓 电极 倍频电路 肖特基二极管 肖特基接触
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
盛百城
供职机构：中国电子科技集团公司第十三研究所
研究主题：场效应晶体管 HFET 蓝宝石衬底 截止频率 迁移率
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张森
供职机构：哈尔滨工业大学
研究主题：金刚石 金刚石表面 色心 单晶金刚石 籽晶
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
韩婷婷
供职机构：中国电子科技集团公司第十三研究所
研究主题：场效应晶体管 HFET 蓝宝石衬底 截止频率 迁移率
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
何泽召
供职机构：中国电子科技集团第十三研究所
研究主题：金刚石 石墨烯 场效应晶体管 石墨烯材料 衬底
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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