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钱锋

作品数:2 被引量:10H指数:1
供职机构:南京电子器件研究所更多>>
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陈堂胜
供职机构:中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题:高电子迁移率晶体管 氮化镓 砷化镓 GAN ALGAN/GAN_HEMT
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
高涛
供职机构:南京电子器件研究所
研究主题:功率管 内匹配 氮化镓 KU波段 ALGAN/GAN
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈辰
供职机构:南京电子器件研究所
研究主题:高电子迁移率晶体管 ALGAN/GAN ALGAN/GAN_HEMT 氮化镓 4H-SIC
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
钟世昌
供职机构:南京电子器件研究所
研究主题:GAN 内匹配 氮化镓 S波段 功率放大器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
薛静
供职机构:南京电子器件研究所
研究主题:MMIC 工作寿命 加速寿命试验 微波单片集成电路 赝配高电子迁移率晶体管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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