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薛静

作品数：2 被引量：6H指数：1
供职机构：南京电子器件研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 1篇单片
  • 1篇单片集成
  • 1篇单片集成电路
  • 1篇低噪
  • 1篇低噪声
  • 1篇低噪声放大器
  • 1篇电路
  • 1篇电子迁移率
  • 1篇砷化镓
  • 1篇迁移率
  • 1篇赝配高电子迁...
  • 1篇微波单片
  • 1篇微波单片集成
  • 1篇微波单片集成...
  • 1篇晶体管
  • 1篇集成电路
  • 1篇加速寿命试验
  • 1篇工作寿命
  • 1篇放大器
  • 1篇高电子迁移率

机构

  • 2篇南京电子器件...

作者

  • 2篇薛静
  • 1篇黄念宁
  • 1篇高建峰
  • 1篇林罡
  • 1篇金毓铨
  • 1篇徐波
  • 1篇耿涛
  • 1篇贾东铭
  • 1篇钱锋

传媒

  • 1篇固体电子学研...

年份

  • 1篇2014
  • 1篇2012
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
K波段低噪声放大器的设计与测试
本文研究了K波段微波低噪声放大器的设计方法和测试方法.在设计中,分别对FMM5701X芯片的输入输出电路进行设计,再对其馈电电路和版图进行设计.在测试方法上对微组装工艺进行了要求.此款K波段低噪声放大器在24GHz下噪声...
薛静张忻钱锋
关键词：K波段低噪声放大器
MMIC高温工作加速寿命试验失效机理分析被引量：6
2012年
采用恒定功耗高温加速的试验方法,搭建了相关的试验系统,对高温工作寿命试验(HTOL)方法在功率GaAs MMIC领域的应用进行了一些探索。试验获得了对失效机理进行分析所需的失效数,所有样品的失效都是由同一原因引起的。通过监测数据和失效样品的分析,发现存在欧姆接触退化与栅金属下沉两种失效机理,但最终引起失效的机理单一,为栅金属下沉。
林罡贾东铭耿涛黄念宁徐波薛静高建峰金毓铨
关键词：砷化镓微波单片集成电路赝配高电子迁移率晶体管
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