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孙有民

作品数：40 被引量：4H指数：1
供职机构：西安微电子技术研究所更多>>
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地区

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共 15 条 记 录，以下是 1-10
赵杰
供职机构：西安微电子技术研究所
研究主题：总剂量辐射 发射区 集电区 晶体管结构 电压
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
薛智民
供职机构：西安微电子技术研究所
研究主题：抗辐射 总剂量辐射 晶体管结构 掺杂 击穿电压
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王清波
供职机构：西安微电子技术研究所
研究主题：电压 发射区 集电区 晶体管结构 总剂量辐射
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈晓宇
供职机构：西安微电子技术研究所
研究主题：场区 硅栅 HTO SUB 总剂量辐射
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘存生
供职机构：西安微电子技术研究所
研究主题：氧 沟槽 抗辐射 场效应晶体管 抗辐射加固
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
薛东风
供职机构：西安微电子技术研究所
研究主题：总剂量辐射 晶体管结构 掺杂 抗辐射 PNP晶体管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王小荷
供职机构：西安微电子技术研究所
研究主题：氧 抗辐射加固 抗辐射 深源 MOS场效应晶体管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
杜欣荣
供职机构：西安微电子技术研究所
研究主题：晶体管结构 总剂量辐射 掺杂 抗辐射 LDMOS
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈宝忠
供职机构：西安微电子技术研究所
研究主题：平带电压 多晶 掺杂 半导体集成电路 抗辐射加固
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
赵桂茹
供职机构：西安微电子技术研究所
研究主题：HTO CMOS 氧 SUB 硅栅
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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