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高涛

作品数：3 被引量：27H指数：3
供职机构：南京电子器件研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

领域

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主题

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机构

  • 8个南京电子器件...
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  • 3个微波毫米波单...
  • 2个中华人民共和...
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  • 1个电子部

资助

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  • 3个微波毫米波单...
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传媒

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  • 2个光电工程

地区

  • 8个江苏省
共 8 条 记 录，以下是 1-8
陈堂胜
供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题：高电子迁移率晶体管 氮化镓 砷化镓 GAN ALGAN/GAN_HEMT
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈辰
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：高电子迁移率晶体管 ALGAN/GAN ALGAN/GAN_HEMT 氮化镓 4H-SIC
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
钟世昌
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：GAN 内匹配 氮化镓 S波段 功率放大器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
任春江
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：高电子迁移率晶体管 氮化镓 ALGAN/GAN_HEMT ALGAN/GAN GAN
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
钱锋
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：KU波段 ALGAN/GAN 氮化镓 功率管 内匹配
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
焦刚
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：高电子迁移率晶体管 ALGAN/GAN ALGAN/GAN_HEMT 氮化镓 宽禁带半导体
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
孙春妹
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：GAN 内匹配 KU波段 ALGAN/GAN 功率管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张斌
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：微波单片集成电路 功率MMIC 高电子迁移率晶体管 氮化镓 功率放大器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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