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侯晓敏

作品数:12 被引量:22H指数:3
供职机构:华北光电技术研究所更多>>
相关领域:电子电信一般工业技术更多>>

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地区

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20 条 记 录,以下是 1-10
范叶霞
供职机构:华北光电技术研究所
研究主题:碲锌镉晶体 晶体生长 CD 单晶 位错密度
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
吴卿
供职机构:华北光电技术研究所
研究主题:碲镉汞 红外探测器 碲锌镉晶体 晶体生长 碲锌镉
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
徐强强
供职机构:华北光电技术研究所
研究主题:碲锌镉晶体 碲锌镉 晶体生长 CD 单晶
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
折伟林
供职机构:华北光电技术研究所
研究主题:碲镉汞 分子束外延 碲锌镉 碲锌镉晶体 位错密度
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
周立庆
供职机构:华北光电技术研究所
研究主题:碲镉汞 分子束外延 液相外延 红外探测器 碲锌镉
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘铭
供职机构:华北光电技术研究所
研究主题:分子束外延 碲镉汞 INSB 超晶格 MBE
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王丛
供职机构:华北光电技术研究所
研究主题:分子束外延 碲镉汞 MBE CDTE 复合衬底
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
巩锋
供职机构:华北光电技术研究所
研究主题:分子束外延 复合衬底 INSB 液相外延技术 硅基
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
杨海燕
供职机构:华北光电技术研究所
研究主题:碲镉汞 液相外延 碲镉汞薄膜 P- 碲锌镉
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈元瑞
供职机构:华北光电技术研究所
研究主题:INSB 性能表征 CZOCHRALSKI 单晶 位错密度
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
共2页<12>
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