您的位置： 专家智库 > >

陈宝忠

作品数：30 被引量：1H指数：1
供职机构：西安微电子技术研究所更多>>
相关领域：电子电信金属学及工艺文化科学轻工技术与工程更多>>

合作作者

领域

  • 12个电子电信
  • 6个自动化与计算...
  • 3个经济管理
  • 3个文化科学
  • 2个金属学及工艺
  • 2个电气工程
  • 1个机械工程
  • 1个航空宇航科学...
  • 1个理学

主题

  • 10个电路
  • 9个栅氧化
  • 9个总剂量
  • 8个多晶
  • 8个氧化层
  • 8个栅氧化层
  • 8个退火
  • 8个总剂量辐射
  • 7个电荷
  • 7个电压
  • 7个电阻
  • 7个双极工艺
  • 7个双极型
  • 6个导通
  • 6个导通电阻
  • 6个电场
  • 6个多层布线
  • 6个正电
  • 6个正电荷
  • 6个双极型晶体管

机构

  • 12个西安微电子技...
  • 1个西安理工大学

资助

  • 2个中国人民解放...
  • 1个国防科技技术...

传媒

  • 6个微电子学与计...
  • 5个微电子学
  • 4个半导体技术
  • 3个电子与封装
  • 2个电子设计工程
  • 2个集成电路与嵌...
  • 1个航天工艺
  • 1个微纳电子技术
  • 1个吉林大学学报...
  • 1个现代商业
  • 1个行政事业资产...
  • 1个第十届全国抗...

地区

  • 12个陕西省
共 12 条 记 录，以下是 1-10
刘存生
供职机构：西安微电子技术研究所
研究主题：氧 沟槽 抗辐射 场效应晶体管 抗辐射加固
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李宁
供职机构：西安微电子技术研究所
研究主题：掺杂 准静态 平带电压 底片 程控电源
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王清波
供职机构：西安微电子技术研究所
研究主题：电压 发射区 集电区 晶体管结构 总剂量辐射
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王小荷
供职机构：西安微电子技术研究所
研究主题：氧 抗辐射加固 抗辐射 深源 MOS场效应晶体管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
孙有民
供职机构：西安微电子技术研究所
研究主题：抗辐射 发射区 集电区 总剂量辐射 电压
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
赵杰
供职机构：西安微电子技术研究所
研究主题：总剂量辐射 发射区 集电区 晶体管结构 电压
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
薛东风
供职机构：西安微电子技术研究所
研究主题：总剂量辐射 晶体管结构 掺杂 抗辐射 PNP晶体管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈晓宇
供职机构：西安微电子技术研究所
研究主题：场区 硅栅 HTO SUB 总剂量辐射
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
薛智民
供职机构：西安微电子技术研究所
研究主题：抗辐射 总剂量辐射 晶体管结构 掺杂 击穿电压
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
吴兵
供职机构：西安微电子技术研究所
研究主题：BICMOS 高频 过渡区 自掺杂
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
全选 清除 导出
共2页<12>
聚类工具0