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徐志成

作品数：48 被引量：38H指数：4
供职机构：中国科学院上海技术物理研究所更多>>
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共 19 条 记 录，以下是 1-10
陈建新
供职机构：中国科学院上海技术物理研究所
研究主题：超晶格 INAS/GASB 红外探测器 长波 长波红外探测器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
周易
供职机构：中国科学院上海技术物理研究所
研究主题：超晶格 INAS/GASB 红外探测器 长波 长波红外探测器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
何力
供职机构：中国科学院上海技术物理研究所
研究主题：碲镉汞 分子束外延 HGCDTE 红外焦平面探测器 红外焦平面
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王芳芳
供职机构：中国科学院上海技术物理研究所
研究主题：超晶格 长波 INAS/GASB 太赫兹量子级联激光器 长波红外探测器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
白治中
供职机构：中国科学院上海技术物理研究所
研究主题：超晶格 INAS/GASB 焦平面 探测器 CDTE
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
许佳佳
供职机构：中国科学院上海技术物理研究所
研究主题：超晶格 INAS/GASB 长波红外探测器 焦平面 红外焦平面探测器
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徐庆庆
供职机构：中国科学院上海技术物理研究所
研究主题：液相外延 超晶格 碲镉汞 INAS/GASB 母液
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丁瑞军
供职机构：中国科学院上海技术物理研究所
研究主题：碲镉汞 红外焦平面 读出电路 红外焦平面探测器 红外探测器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
黄爱波
供职机构：中国科学院上海技术物理研究所
研究主题：采样保持电路 红外焦平面 记忆功能 积分时间 读出集成电路
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈洪雷
供职机构：中国科学院上海技术物理研究所
研究主题：碲镉汞 读出电路 红外焦平面 INAS/GASB 红外焦平面读出电路
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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