白治中
- 作品数：30 被引量：29H指数：3
- 供职机构：中国科学院上海技术物理研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金上海市自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学电气工程机械工程更多>>
- 背接触层结构及其制备方法、包括其的CdTe薄膜太阳能电池
- 本发明涉及新型CdTe薄膜太阳能电池。更具体地，本发明涉及一种用于CdTe薄膜太阳能电池的新型背接触层结构，其中包括依次设置在CdTe薄膜上的MoO<Sub>3</Sub>背接触缓冲层和金属背电极层。本发明还涉及制造这样...
- 王德亮白治中
- 文献传递
- InAs/GaSb Ⅱ类超晶格台面的ICP刻蚀研究被引量：2
- 2019年
- 报道了采用Cl_2/N_2电感耦合等离子(ICP)组合体刻蚀工艺在InAs/GaSb Ⅱ类超晶格红外焦平面台面加工过程中的研究结果,实验采用分子束外延技术在GaSb衬底上生长的PIN型超晶格材料。结果表明,气体流量比例直接对刻蚀速率和刻蚀形貌产生影响,氯气含量越高,刻蚀速率越大,当氮气含量增加,刻蚀速率降低并趋于一定值。当氯气和氮气的流量比例和等离子腔体内压力等参数一定时,随着温度升高,刻蚀速率和选择比在有限范围内同时线性增大,台面的倾角趋于直角,台面轮廓层状纹理逐渐消失,但沟道内变得粗糙不平,并出现坑点。在实验研究范围内,电感耦合等离子源的ICP功率和RF功率对刻蚀结果产生的影响较小。
- 许佳佳黄敏徐庆庆徐庆庆徐志成王芳芳白治中周易陈建新
- 关键词：刻蚀焦平面
- CdTe薄膜太阳电池在极端光强条件下的器件性能研究
- Module Costs CdTe薄膜太阳电池特点 优点:1.直接带隙半导体:1.45 eV;高吸收系数:105cm-1电池所需厚度:2-8 m2.CdTe薄膜可以采用多种方法制备:进空间升华(CSS)、蒸汽输运沉积(V...
- 沈凯李玮杨瑞龙王德钊白治中王德亮
- 一种基于太阳电池的光控开关
- 本发明提供了一种基于太阳电池的光控开关，包括太阳电池、电压比较电路和开关电路，其以高光电转换效率、低成本的太阳电池代替传统光敏电阻，避免了光敏电阻光控开关灵敏度低和稳定性差等缺点；碲化镉太阳电池对于光照强度十分灵敏，提高...
- 王德亮肖迪白治中杨瑞龙沈凯王德钊
- 文献传递
- InAs/GaSb Ⅱ类超晶格中波红外双色640×512规模焦平面探测器
- 本文报道640×512规模InAs/GaSb Ⅱ类超晶格红外双色焦平面阵列探测器的研究结果。探测器采用N-P-N叠层双色器件结构,通过调节器件工作电压实现器件在4.5μm和5.8μm两个截止波段的切换,从而实现双波段的顺...
- 白治中徐志成周易黄爱波陈洪雷陈建新丁瑞军何力
- 文献传递
- 面向高工作温度应用的带间级联红外光电器件被引量：1
- 2022年
- 高温工作探测器是第三代红外焦平面发展的重要方向之一。带间级联探测器结合了势垒结构与多级吸收区结构的特点,通过多量子阱弛豫和隧穿实现光生载流子单方向输运,可以有效降低来自PN结耗尽区的产生-复合暗电流;利用多级短吸收区结构,在扩散长度很短的情况下仍然可以有效地收集光生载流子,从而可以提高探测器在高工作温度下的探测性能。本文主要介绍了作者在带间级联红外光电器件方面的研究进展,包括高工作温度带间级联探测器、高带宽带间级联探测器以及带间级联发光器件等。
- 柴旭良周易周易王芳芳徐志成朱艺红周建郑露露黄敏白治中白治中黄爱波丁瑞军丁瑞军
- 关键词：红外焦平面发光二极管
- 一种红外焦平面芯片的铟柱制备方法
- 本发明公开了一种红外焦平面芯片的铟柱制备方法，使用负性光刻胶光刻获得塔形铟孔，热蒸发生长铟膜，湿法剥离得到铟柱。本发明的优点是铟柱制备工艺简单，极易湿法剥离，重复性好；适用于大规模红外焦平面的铟柱阵列制备，能获得高度一致...
- 许佳佳陈建新马伟平潘建珍李宁白治中
- 文献传递
- InAs/GaAsSb带间级联中波红外焦平面研究被引量：9
- 2019年
- 针对高工作温度红外探测器的迫切需求,设计并利用分子束外延技术制备了高晶格质量的2级带间级联中波红外探测材料,带间级联单元器件在最高323 K下可以测试到清晰的响应光谱,140 K下暗电流密度达到4×10^-5A/cm^-2.并在此基础上利用干法刻蚀技术实现了320×256规模的台面型带间级联红外焦平面原型器件.焦平面测试结果表明其在80-120K范围内量子效率达到30%,127 K下噪声等效温差为55.1 mK,盲元率为2.3%.采用该焦平面器件在127 K下获得了较为清晰的演示性室温目标红外热成像.
- 周易柴旭良田源徐志成黄敏许佳佳黄爱波白治中陈红雷丁瑞军陈建新何力
- 关键词：红外焦平面
- CdCl_2热处理对CdS/CdTe界面扩散和界面反应的影响研究被引量：3
- 2010年
- 采用在CdTe薄膜太阳能电池结构Glass/FTO/CdS/CdTe基础上制备的Glass/FTO/CdS/CdTe/CdS体系,通过XRD,SEM,Raman,XPS研究了不同温度CdCl2空气热处理对CdS/CdTe界面互扩散、界面反应和重结晶过程的影响.研究表明,样品的表面形貌在不同温度热处理后有剧烈的差异,经300～350℃热处理后,CdS晶粒从室温时的20nm迅速增大至70nm左右,这与CdS从立方相到六方相的相变温度符合.CdS/CdTe界面在350℃左右就开始比较明显地互扩散,550℃时界面已生成具有六方纤锌矿结构的CdS0.85Te0.15.CdS因与CdTe的相互扩散并生成CdSxTe1-x而被迅速消耗.450℃以上CdS/CdTe界面部分被氧化生成CdTeO3.拉曼光谱中CdS的1LO峰在350℃左右由强变弱同时向低波数移动表明开始生成CdSxTe1-x.光电子能谱验证了CdSxTe1-x和CdTeO3在热处理过程中的形成.CdCl2防止了界面的氧化和促进了CdS/CdTe界面扩散以及CdSxTe1-x的生成.
- 侯泽荣万磊白治中王德亮
- 关键词：CDSCDTE
- 高转换效率CdTe薄膜太阳电池制备及关键科学问题研究
- CdTe材料是一种II-VI族化合物半导体材料,由于具有合适的禁带宽度和较高的吸收系数,近年来作为一种太阳能电池半导体材料受到广泛的关注。以CdTe薄膜为吸收层的CdS//CdTe异质结薄膜太阳能电池是最具有应用前景的低...
- 白治中
- 关键词：碲化镉硫化镉氯化镉
- 文献传递
