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王斌

作品数：19 被引量：23H指数：3
供职机构：中国电子科技集团第二十四研究所更多>>
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领域

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地区

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  • 1个江苏省
  • 1个四川省
共 52 条 记 录，以下是 1-10
唐昭焕
供职机构：中国电子科技集团第二十四研究所
研究主题：半导体 深槽 功率VDMOS器件 功率MOSFET器件 导电类型
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
谭开洲
供职机构：中国电子科技集团第二十四研究所
研究主题：半导体 深槽 VDMOS 半导体器件 导电类型
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
杨永晖
供职机构：中国电子科技集团第二十四研究所
研究主题：深槽 半导体 介质层 多晶硅栅 功率VDMOS器件
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
梁涛
供职机构：中国电子科技集团第二十四研究所
研究主题：半导体工艺 掺杂 硅片表面 镜检 硫酸铈
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张静
供职机构：中国电子科技集团
研究主题：SIGE_HBT 异质结双极晶体管 SIGE 半导体 分子束外延
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
任芳
供职机构：中国电子科技集团第二十四研究所
研究主题：半导体工艺 介质 制版 CMOS工艺 集成电路
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
吴建
供职机构：中国电子科技集团第二十四研究所
研究主题：多晶硅 氧化层 牺牲层 微电子机械系统 淀积
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
崔伟
供职机构：中国电子科技集团第二十四研究所
研究主题：半导体 深槽 漂移区 场效应 掺杂
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
曾家黔
供职机构：中国电子科技集团第二十四研究所
研究主题：高强度气体放电灯 电子镇流器 HID灯电子镇流器 单片机 数字控制
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张杨波
供职机构：中国电子科技集团第二十四研究所
研究主题：SOI材料 隔离区 互补双极工艺 牺牲层 全介质
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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