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谭开洲

作品数：134 被引量：103H指数：6
供职机构：中国电子科技集团第二十四研究所更多>>
发文基金：模拟集成电路重点实验室基金模拟集成电路国家重点实验室开放基金国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信文化科学自动化与计算机技术理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 72篇专利
  • 53篇期刊文章
  • 7篇会议论文
  • 2篇学位论文

领域

  • 69篇电子电信
  • 3篇自动化与计算...
  • 3篇文化科学
  • 2篇理学
  • 1篇电气工程

主题

  • 40篇半导体
  • 20篇电路
  • 18篇多晶
  • 16篇多晶硅
  • 16篇集成电路
  • 16篇半导体器件
  • 15篇深槽
  • 13篇电阻
  • 12篇晶体管
  • 11篇VDMOS
  • 10篇导电类型
  • 10篇异质结
  • 9篇绝缘层
  • 8篇多晶硅栅
  • 8篇耐压
  • 8篇击穿电压
  • 8篇SIGE
  • 7篇单片
  • 7篇异质结双极晶...
  • 7篇双极晶体管

机构

  • 114篇中国电子科技...
  • 37篇中国电子科技...
  • 26篇电子科技大学
  • 10篇重庆邮电大学
  • 2篇贵州大学
  • 2篇中国民用航空...
  • 2篇中国电子科技...
  • 1篇四川大学
  • 1篇西安电子科技...
  • 1篇重庆大学
  • 1篇中国电子科技...
  • 1篇中国电子科技...
  • 1篇中国电子科技...
  • 1篇中国电子科技...
  • 1篇重庆中科渝芯...
  • 1篇中国人民解放...

作者

  • 134篇谭开洲
  • 46篇唐昭焕
  • 33篇刘勇
  • 32篇杨永晖
  • 30篇张静
  • 18篇崔伟
  • 16篇刘玉奎
  • 16篇钟怡
  • 14篇王健安
  • 13篇胡刚毅
  • 12篇杨谟华
  • 12篇邱盛
  • 10篇冯建
  • 9篇李荣强
  • 9篇陈光炳
  • 9篇王育新
  • 9篇王斌
  • 8篇徐学良
  • 7篇徐世六
  • 7篇李泽宏

传媒

  • 43篇微电子学
  • 5篇Journa...
  • 4篇第十五届全国...
  • 2篇第十四届全国...
  • 1篇半导体技术
  • 1篇物理学报
  • 1篇电子科技大学...
  • 1篇光散射学报
  • 1篇重庆邮电大学...

年份

  • 3篇2024
  • 5篇2023
  • 9篇2022
  • 7篇2021
  • 3篇2020
  • 7篇2019
  • 6篇2018
  • 11篇2017
  • 5篇2016
  • 1篇2015
  • 6篇2014
  • 4篇2013
  • 7篇2012
  • 5篇2011
  • 6篇2010
  • 1篇2009
  • 11篇2008
  • 11篇2007
  • 12篇2006
  • 4篇2005
共 134 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
强电场下亚微米ESD注入型NMOS IDT-VGS微分负阻现象研究
2021年
采用优化ESD注入条件改善了NMOS器件结构。对该亚微米ggNMOS ESD防护电路单元进行了传输线脉冲TLP法测试。测试结果表明,优化后的多插指通道保护结构的静电释放电流均匀性得到改善。对该ESD注入型NMOS输出特性的研究发现,在强场下漏极电流I_(DT)是一种复合电流,随着栅源电压超过阈值V_(GS)0,它会呈现I_(DT)-V_(GS)微分负阻现象。从MOS-Bipolar复合模式下的碰撞电离和Snapback效应两方面对I_(DT)-V_(GS)微分负阻现象进行了理论分析。研究结果可用于优化CMOS/BiCMOS IC的ESD设计。
刘玉奎殷万军谭开洲崔伟
关键词：碰撞电离静电释放
高压半导体介质耐压终端
本发明提供一种高压半导体介质耐压终端，包括高掺杂半导体材料层、形成于高掺杂半导体材料层上的外延层、外延层顶部部分区域处理后形成的有源器件区，在有源器件区的一侧开设有第一深槽，第一深槽垂直穿过外延层，进入到高掺杂半导体材料...
谭开洲付强唐昭焕胡刚毅许斌陈光炳王健安王育新张振宇杨永晖钟怡刘勇黄磊王志宽朱坤峰陈文锁邱盛
文献传递
一种深槽半导体光探测增益结构
本发明公开了一种深槽半导体光探测增益结构，其中，所述深槽半导体光探测增益结构包括半导体材料，所述半导体材料为第一导电杂质类型，在所述半导体材料的上表面向下开设多个深槽，所述深槽向其槽壁外扩散形成具有第二导电杂质类型的深槽...
谭开洲崔伟张霞张静陈仙唐昭焕吴雪张培健
文献传递
降低浮空埋层半导体器件漏电流的方法
本发明涉及一种降低浮空埋层半导体器件漏电流的方法。包括半导体衬底材料、第一外延层、分裂浮空埋层、第二外延层、侧壁掺杂深槽、被保护器件、表面结终端和划片道。其中，被保护器件、表面结终端处于第二外延层中，分裂浮空埋层位于第二...
谭开洲唐昭焕刘嵘侃刘勇
文献传递
增加集成电路器件集成密度的半导体制造方法
本发明涉及一种增加集成电路器件集成密度的半导体制造方法，针对集成电路采用PN结隔离和穿透扩散占用较大面积以及常规深槽隔离存在高台阶、高电场、高应力和不良钳位隐患的问题，本发明采用深槽扩散隔离和深槽穿透扩散结构，实现器件集...
谭开洲张静张正璠
文献传递
高压功率半导体器件及其制造方法
本发明提供了一种高压功率半导体器件及其制造方法，在外延层的终端区中设置多个沿第一方向贯穿外延层延伸至衬底中的第二电阻场板结构，且各个第二电阻场板结构在第一平面内同心地断续环绕有源区设置，各个第二电阻场板结构与其上的第三电...
谭开洲肖添李孝权徐学良王颖江永清王育新李光波王鹏飞裴颖吴健李儒章王志宽邱盛张培健张正元刘玉奎
欧姆接触电阻率测量方法的比较研究被引量：6
2006年
根据材料的厚度对金属-半导体间的欧姆接触电阻率的测量方法做了分类,并分别介绍了各种方法的原理。分析了它们的误差形成原因以及对结果的影响,比较了它们的优劣,探讨了在不同情况下最合适的办法。
赵安邦谭开洲吴国增
关键词：金属-半导体欧姆接触接触电阻率
Nb:SrTiO_(3)阻变单元及1T1R复合结构的电离辐射总剂量效应研究
2022年
开展了Nb∶SrTiO_(3)阻变单元及1T1R复合结构的X射线总剂量效应实验研究。结果表明,Nb∶SrTiO_(3)阻变单元在累积剂量达到10 Mrad(Si)时依然能够保持良好的阻变特性,高、低阻态未发生逻辑混乱。1T1R复合结构中的NMOS选通晶体管对电离辐射较为敏感,在栅氧化层中辐射感生氧化物陷阱电荷的作用下,NMOS器件阈值电压逐渐向负方向漂移,泄漏电流逐渐增加,进一步导致关态条件下(V_(G)=0 V)对阻变存储单元的错误读写。通过选用抗辐射加固NMOS选通晶体管,可显著提升1T1R复合结构的抗总剂量能力。
单月晖连潞文高媛魏佳男杜翔唐新悦罗婷谭开洲张培健
关键词：总剂量效应X射线辐射
基于薄埋氧层及三顶层硅的SOI高压LDMOS研究被引量：1
2014年
详细研究了一种基于薄埋氧层及三层顶层硅衬底(Triple-Layer Top Silicon,TLTS)的SOI高压LDMOS器件。该结构在SOI介质层上界面的顶层硅内引入一高浓度n+层,当器件处于反向阻断状态时,高浓度n+区部分耗尽,漏端界面处已耗尽n+层内的高浓度电离施主正电荷可增强介质层电场,所产生的附加电场将调制漂移区内的电场,防止器件在漏端界面处被提前击穿,从而可在较薄的埋氧层(BOX)上获得较高耐压。在0.4μm BOX上获得了624V的耐压。与几种SOI器件相比,所提出的TLTS LDMOS器件具有较高优值(FOM)。
雷剑梅胡盛东朱志武星河罗俊谭开洲
关键词：埋氧层绝缘体上硅高压器件
基于锎源的N沟道VDMOS器件单粒子效应研究被引量：2
2014年
分析了N沟道VDMOS器件的单粒子辐射损伤机理和损伤模式,讨论了VDMOS器件的单粒子辐射加固措施。使用锎源,对采取了加固措施的一款200V高压N沟道VDMOS器件进行单粒子效应试验研究。对比分析了不同漏源电压和栅源电压以及不同真空度对VDMOS单粒子效应的影响,可为VDMOS器件的单粒子辐射加固、试验验证及应用提供参考。
陈佳乔哲唐昭焕王斌谭开洲
关键词：VDMOS单粒子效应单粒子烧毁
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