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唐昭焕

作品数：78 被引量：36H指数：4
供职机构：中国电子科技集团第二十四研究所更多>>
发文基金：国家重点基础研究发展计划国家自然科学基金模拟集成电路重点实验室基金更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术航空宇航科学技术环境科学与工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 48篇专利
  • 26篇期刊文章
  • 2篇会议论文
  • 1篇学位论文
  • 1篇科技成果

领域

  • 37篇电子电信
  • 2篇自动化与计算...
  • 1篇航空宇航科学...
  • 1篇环境科学与工...
  • 1篇文化科学

主题

  • 32篇半导体
  • 12篇深槽
  • 11篇功率VDMO...
  • 10篇导电类型
  • 10篇功率MOSF...
  • 10篇半导体器件
  • 8篇电路
  • 8篇介质层
  • 8篇绝缘
  • 7篇单粒子
  • 7篇多晶
  • 7篇绝缘层
  • 6篇多晶硅
  • 6篇多晶硅栅
  • 6篇终端
  • 6篇硅栅
  • 6篇烘培
  • 6篇半导体工艺
  • 5篇电荷
  • 5篇耐压

机构

  • 65篇中国电子科技...
  • 21篇中国电子科技...
  • 9篇贵州大学
  • 3篇联合微电子中...
  • 2篇西安电子科技...
  • 2篇重庆中科渝芯...
  • 1篇哈尔滨工业大...
  • 1篇电子科技大学
  • 1篇重庆邮电大学
  • 1篇重庆电子工程...
  • 1篇中电集团
  • 1篇中国电子科技...
  • 1篇中国电子科技...
  • 1篇中国航天标准...
  • 1篇中国电子科技...
  • 1篇重庆中科战储...

作者

  • 78篇唐昭焕
  • 46篇谭开洲
  • 24篇刘勇
  • 21篇杨永晖
  • 12篇胡刚毅
  • 12篇王健安
  • 11篇张静
  • 11篇王斌
  • 10篇崔伟
  • 10篇钟怡
  • 9篇刘嵘侃
  • 7篇陈文锁
  • 6篇杨发顺
  • 6篇傅兴华
  • 6篇马奎
  • 6篇陈光炳
  • 6篇王育新
  • 6篇许斌
  • 6篇黄磊
  • 6篇邱盛

传媒

  • 22篇微电子学
  • 2篇物理学报
  • 1篇半导体光电
  • 1篇现代电子技术

年份

  • 3篇2024
  • 3篇2023
  • 4篇2022
  • 5篇2021
  • 9篇2020
  • 7篇2019
  • 8篇2018
  • 6篇2017
  • 5篇2016
  • 3篇2015
  • 4篇2014
  • 2篇2013
  • 4篇2012
  • 6篇2011
  • 5篇2010
  • 2篇2009
  • 2篇2008
共 78 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
增加击穿电压的半导体结构及制造方法
本发明涉及一种增加击穿电压的半导体结构及制造方法。本发明结构非常简单，包括半导体材料、主扩散结、耐压层、耗尽终止区和介质层共5个部分。其中，主扩散结、耐压层、耗尽终止区都处于半导体材料中，主扩散结和耐压层的导电类型与半导...
谭开洲刘勇胡永贵欧宏旗唐昭焕
文献传递
一种基于倒阱工艺的功率MOSFET器件及其制造方法
本发明公开了一种基于倒阱工艺的功率MOSFET器件及其制造方法，它包括衬底材料，所述衬底材料上覆盖有第一外延层；第一外延层上覆盖有第二外延层；体区位于第一外延层和第二外延层之间；体区的上部二侧为源区；本发明一方面增加了体...
唐昭焕杨发顺马奎林洁馨傅兴华
文献传递
一种Nanometrics膜厚测试仪精密度评价方法
2010年
通过采用PPM、SPC软件和数理统计方法对样本进行处理的方式,对一种Nanometrics膜厚测试仪精密度的评价方法进行研究。讨论了样本在数据收集、分析、处理过程中的难点,得到Nanometrics膜厚测试仪精密度为1.25%的结论;找到了一种适合该膜厚测试仪精密度的评价方法。
唐昭焕徐岚刘勇税国华
关键词：SPC半导体工艺
低噪声CMOS图像传感器技术研究综述被引量：8
2020年
文章总结了低噪声CMOS图像传感器代表性关键技术的最新研究进展。从CMOS图像传感器架构及各模块设计的角度,介绍了有源像素结构和图像传感器架构,分析了广泛采用的像素内源跟随CMOS图像传感器读出电路及其噪声等效模型,重点介绍了低噪声CMOS图像传感器关键技术,包括共享参考像素差分共源放大器技术、相关多采样技术、像素内斩波技术,以及相关技术的电路级实现方式。
刘嵘侃邢德智唐昭焕徐炀
关键词：CMOS图像传感器低噪声模拟集成电路
一种半导体元胞结构和功率半导体器件
本发明提供一种半导体元胞结构和功率半导体器件，其中，该半导体元胞结构包括有高掺杂半导体材料区，外延层，介质绝缘层，半绝缘材料，有源器件区，在所述外延层上还刻蚀有一深槽，所述深槽垂直进入到高掺杂半导体材料区里，于所述深槽内...
谭开洲胡刚毅唐昭焕王健安杨永晖钟怡曹阳刘勇朱坤峰
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不同掺杂浓度多分区高击穿电压浅结低温半导体结构及制造方法
本发明涉及一种不同掺杂浓度多分区高击穿电压浅结低温半导体结构及制造方法。本发明包括半导体材料、主扩散结、n个耐压层B<Sub>1</Sub>～B<Sub>n</Sub>(n≥2)、耗尽终止区和介质层，其主扩散结、n个耐压...
谭开洲胡永贵刘勇欧宏旗唐昭焕
文献传递
功率半导体器件及其制造方法
本发明提供了一种功率半导体器件及其制造方法，在外延层的终端区中设置多个沿第一方向贯穿外延层延伸至衬底中的第二电阻场板结构，且多个第二电阻场板结构在第一平面内呈放射状设置，从靠近元胞区的一侧延伸至远离元胞区的一侧，多个紧耦...
谭开洲肖添张嘉浩杨永晖蒋和全李儒章张培健钟怡王鹏王育新付晓君唐昭焕
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高压半导体介质耐压终端
本发明提供一种高压半导体介质耐压终端，包括高掺杂半导体材料层、形成于高掺杂半导体材料层上的外延层、外延层顶部部分区域处理后形成的有源器件区，在有源器件区的一侧开设有第一深槽，第一深槽垂直穿过外延层，进入到高掺杂半导体材料...
谭开洲付强唐昭焕胡刚毅许斌陈光炳王健安王育新张振宇杨永晖钟怡刘勇黄磊王志宽朱坤峰陈文锁邱盛
文献传递
一种用于功率MOSFET低欧姆接触金属结构的制造方法
本发明提供了一种用于功率MOSFET低欧姆接触金属结构的制造方法，其方法步骤是：按照功率MOSFET的常规方法完成body区、源区、栅介质层、多晶硅、介质层从下往上依次覆盖而成准备待加工器件后；在待加工器件表面依次溅射T...
肖添唐昭焕刘勇王飞梁柳洪杨婵杨永晖钟怡刘嵘侃
文献传递
一种带载流子寿命调节区的功率MOSFET器件及其制造方法
本发明公开了一种带载流子寿命调节区的功率MOSFET器件及其制造方法，其技术特征在于：包括漏极金属层、重掺杂第一导电类型衬底材料、轻掺杂第一导电类型第一外延层、重掺杂第一导电类型载流子寿命调节区、轻掺杂第一导电类型第二外...
唐昭焕杨永晖肖添谭开洲
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