2024年12月14日
星期六
|
欢迎来到维普•公共文化服务平台
登录
|
进入后台
[
APP下载]
[
APP下载]
扫一扫,既下载
全民阅读
职业技能
专家智库
参考咨询
您的位置:
专家智库
>
>
陈宗泽
作品数:
1
被引量:0
H指数:0
供职机构:
重庆大学
更多>>
合作作者
黄野
重庆大学
金晶晶
重庆大学
周峰
重庆大学
胡盛东
重庆大学
作品列表
供职机构
相关作者
所获基金
研究领域
人物
机构
主题
传媒
资助
领域
任意字段
机构
人物
主题
传媒
资助
领域
任意字段
在结果中检索
领域
4个
电子电信
3个
电气工程
2个
自动化与计算...
1个
经济管理
1个
矿业工程
1个
环境科学与工...
1个
医药卫生
1个
一般工业技术
1个
政治法律
1个
文化科学
1个
理学
主题
4个
多晶
4个
多晶硅
4个
氧化硅
4个
埋层
4个
耐压结构
4个
击穿电压
4个
SOI
3个
导通
3个
导通电阻
3个
电极
3个
电势
3个
电阻
3个
氧化层
3个
漂移区
3个
纵向电场
3个
高压器件
3个
功率MOS
2个
电场
2个
电场分布
2个
可调
机构
4个
重庆大学
1个
电子科技大学
1个
中国电子科技...
资助
2个
中国博士后科...
2个
重庆市自然科...
1个
国家自然科学...
1个
国家教育部博...
1个
模拟集成电路...
1个
中国人民解放...
1个
中央高校基本...
1个
重庆大学研究...
传媒
2个
电力电子技术
1个
机械制造
1个
机械科学与技...
1个
固体电子学研...
1个
微电子学
地区
4个
重庆市
共
4
条 记 录,以下是 1-4
全选
清除
导出
金晶晶
供职机构:重庆大学
研究主题:半导体功率器件 SOI 击穿电压 LDMOS器件 高压器件
发表作品
相关人物
供职机构
所获资助
研究领域
胡盛东
供职机构:重庆大学
研究主题:半导体功率器件 SOI 漂移区 高压器件 界面电荷
发表作品
相关人物
供职机构
所获资助
研究领域
周峰
供职机构:重庆大学
研究主题:光纤 污水处理 齿面 变压器油 故障气体
发表作品
相关人物
供职机构
所获资助
研究领域
黄野
供职机构:重庆大学
研究主题:VDMOS器件 击穿电压 多晶硅 漂移区 电场分布
发表作品
相关人物
供职机构
所获资助
研究领域
全选
清除
导出
共1页
<
1
>
聚类工具
0
执行
隐藏
清空
用户登录
用户反馈
标题:
*标题长度不超过50
邮箱:
*
反馈意见:
反馈意见字数长度不超过255
验证码:
看不清楚?点击换一张