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黄野

作品数：6 被引量：0H指数：0
供职机构：重庆大学更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 5篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 3篇多晶
  • 3篇多晶硅
  • 3篇击穿电压
  • 3篇VDMOS器...
  • 2篇导通
  • 2篇导通电阻
  • 2篇电场
  • 2篇电场分布
  • 2篇电阻
  • 2篇漂移区
  • 2篇功率器件
  • 1篇电极
  • 1篇电势
  • 1篇电学性能
  • 1篇钉扎
  • 1篇氧化层
  • 1篇氧化硅
  • 1篇栅氧化
  • 1篇栅氧化层
  • 1篇深槽

机构

  • 6篇重庆大学

作者

  • 6篇黄野
  • 5篇胡盛东
  • 4篇袁琦
  • 4篇郭经纬
  • 4篇杨冬
  • 2篇胡伟
  • 1篇周峰
  • 1篇刘畅
  • 1篇金晶晶
  • 1篇陈宗泽

年份

  • 1篇2020
  • 3篇2019
  • 1篇2018
  • 1篇2015
共 6 条 记 录，以下是 1-6
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排序方式：
深槽超结型SiC VDMOS功率器件研究
碳化硅垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管(Silicon Carbide Vertical Double-Diffusion Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transi...
黄野
关键词：电学性能
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一种具有部分复合埋层的SOI耐压结构
本发明公开了一种具有部分复合埋层的SOI耐压结构，包括P/N衬底1、设置在P/N衬底上的部分复合埋氧层4和设置在部分复合埋氧层上的有源顶硅层2，所述部分复合埋氧层4包括并列设置的埋氧层3和复合埋层，所述复合埋层包括设置在...
胡盛东陈银晖金晶晶周峰陈宗泽黄野
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一种具有变K介质槽的超结碳化硅VDMOS器件
本发明涉及一种具有变K介质槽的超结碳化硅VDMOS器件，属于半导体功率器件领域。该器件包括衬底N<Sup>+</Sup>硅层、有源顶层硅和槽形结构；所述衬底N<Sup>+</Sup>硅层下方设置有漏电极；所述有源顶层硅设...
胡盛东黄野郭经纬杨冬袁琦刘畅
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一种具有阶梯浓度多晶硅侧墙结构的超结VDMOS器件
本发明公开了一种具有阶梯浓度多晶硅侧墙结构的超结VDMOS器件，首先在传统器件基础上增加了具有隔离和耐压作用的氧化硅薄墙及解决电荷非平衡问题的阶梯浓度的多晶硅侧墙结构。其次在新型超结VDMOS器件基础上引入了P型柱，在器...
胡盛东郭经纬杨冬黄野袁琦胡伟汤培顺唐唯净
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一种横向功率MOS高压器件
本发明涉及一种横向功率MOS高压器件，包括多层衬底P型硅层、N型有源层和P型区，N型有源层设置于多层衬底P型硅层的上方，多层衬底P型硅层包括n层P型硅层，P型硅层的层数n为大于或等于2的整数，第n层P型硅层与第(n‑1)...
胡盛东黄野杨冬袁琦郭经纬林智
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一种具有阶梯浓度多晶硅侧墙结构的超结VDMOS器件
本发明公开了一种具有阶梯浓度多晶硅侧墙结构的超结VDMOS器件，首先在传统器件基础上增加了具有隔离和耐压作用的氧化硅薄墙及解决电荷非平衡问题的阶梯浓度的多晶硅侧墙结构。其次在新型超结VDMOS器件基础上引入了P型柱，在器...
胡盛东郭经纬杨冬黄野袁琦胡伟汤培顺唐唯净
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