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金晶晶

作品数：8 被引量：0H指数：0
供职机构：重庆大学更多>>
发文基金：重庆市自然科学基金中国博士后科学基金更多>>
相关领域：电气工程电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 6篇专利
  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇电气工程

主题

  • 6篇半导体
  • 4篇功率器件
  • 4篇半导体功率器...
  • 3篇多晶
  • 3篇多晶硅
  • 3篇击穿电压
  • 3篇SOI
  • 2篇导通
  • 2篇导通电阻
  • 2篇电阻
  • 2篇载流子
  • 2篇双栅
  • 2篇漂移
  • 2篇漂移区
  • 2篇埋氧层
  • 2篇晶体管
  • 2篇高压器件
  • 2篇LDMOS器...
  • 1篇电极
  • 1篇电势

机构

  • 8篇重庆大学

作者

  • 8篇金晶晶
  • 7篇胡盛东
  • 5篇朱志
  • 3篇雷剑梅
  • 2篇周喜川
  • 2篇李少红
  • 1篇周峰
  • 1篇陈宗泽
  • 1篇黄野
  • 1篇朱志

传媒

  • 1篇电力电子技术

年份

  • 3篇2016
  • 1篇2015
  • 3篇2014
  • 1篇2013
共 8 条 记 录，以下是 1-8
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排序方式：
一种具有界面栅的SOI功率器件结构
本发明公开了一种具有界面栅的SOI功率器件结构,涉及一种半导体功率器件，包括衬底P/N型硅层、有源顶层硅和埋氧化层，栅分别由纵向槽型栅以及埋于埋氧层界面的界面栅所构成；本发明在常规的SOI功率器件基础上，将槽型栅延伸至埋...
胡盛东陈银晖金晶晶朱志武星河雷剑梅周喜川
文献传递
一种具有纵向NPN结构的双栅LDMOS器件
本发明公开了一种具有纵向NPN结构的双栅LDMOS器件,涉及一种半导体功率器件，P‑衬底、有源顶层硅、横向多晶硅栅、纵向多晶硅栅、源电极区、漏电极区和场氧层，有源硅层包含有纵向NPN结构即纵向排列的上层N型硅条、中层P型...
胡盛东金晶晶陈银晖朱志武星河李少红阮祯臻丁文春
文献传递
基于横向可变降低表面电场技术的新型SOI高压器件研究
横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管（Lateral Double-Diffused Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor，简称LDMOS）作为一种横向功率...
金晶晶
关键词：半导体场效应晶体管绝缘体上硅高压器件
一种具有部分复合埋层的SOI耐压结构
本发明公开了一种具有部分复合埋层的SOI耐压结构，包括P/N衬底1、设置在P/N衬底上的部分复合埋氧层4和设置在部分复合埋氧层上的有源顶硅层2，所述部分复合埋氧层4包括并列设置的埋氧层3和复合埋层，所述复合埋层包括设置在...
胡盛东陈银晖金晶晶周峰陈宗泽黄野
文献传递
具有埋界面漏的Trench功率MOSFET研究
2013年
研究了两种具有埋界面漏的槽型技术(Trench)功率金属氧化层半导体场效晶体管(MOSFET)。利用埋于整个界面的漏n^+层缩短开态时载流子在高电阻率n^-漂移区的运动路径,从而降低器件比导通电阻,缓解功率MOSFET器件比导通电阻与击穿电压之间的矛盾。详细研究了器件结构参数对比导通电阻和击穿电压的影响。器件1为50~70 V级器件;器件2利用p型硅条增强降低表面电场(RESURF)效应及优化体内电场分布,使得器件性能进一步提高,在133 V的击穿电压时获得0.85 mΩ·cm^2的低比导通电阻。
雷剑梅胡盛东金晶晶朱志
关键词：击穿电压比导通电阻
一种横向功率MOS高压器件
本发明公开了一种横向功率MOS高压器件，包括P型衬底、设置在P型衬底上的N型有源层、设置在N型有源层上的场氧化硅层和位于MOS器件顶端两侧的源电极区、漏电极区，其特征在于：所述P型衬底包括第1层P型硅层至第n层P型硅层，...
胡盛东金晶晶陈银晖朱志武星河
文献传递
一种具有纵向NPN结构的双栅LDMOS器件
本发明公开了一种具有纵向NPN结构的双栅LDMOS器件,涉及一种半导体功率器件，P-衬底、有源顶层硅、横向多晶硅栅、纵向多晶硅栅、源电极区、漏电极区和场氧层，有源硅层包含有纵向NPN结构即纵向排列的上层N型硅条、中层P型...
胡盛东金晶晶陈银晖朱志武星河李少红阮祯臻丁文春
文献传递
一种具有界面栅的SOI功率器件结构
本发明公开了一种具有界面栅的SOI功率器件结构,涉及一种半导体功率器件，包括衬底P/N型硅层、有源顶层硅和埋氧化层，栅分别由纵向槽型栅以及埋于埋氧层界面的界面栅所构成；本发明在常规的SOI功率器件基础上，将槽型栅延伸至埋...
胡盛东陈银晖金晶晶朱志武星河雷剑梅周喜川
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