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李少红

作品数：2 被引量：0H指数：0
供职机构：重庆大学更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇中文专利

主题

  • 2篇多晶
  • 2篇多晶硅
  • 2篇双栅
  • 2篇功率器件
  • 2篇半导体
  • 2篇半导体功率器...
  • 2篇LDMOS器...
  • 1篇电极
  • 1篇多晶硅栅
  • 1篇漂移
  • 1篇漂移区
  • 1篇击穿电压
  • 1篇硅栅

机构

  • 2篇重庆大学

作者

  • 2篇胡盛东
  • 2篇金晶晶
  • 2篇李少红
  • 2篇朱志

年份

  • 1篇2016
  • 1篇2014
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
一种具有纵向NPN结构的双栅LDMOS器件
本发明公开了一种具有纵向NPN结构的双栅LDMOS器件,涉及一种半导体功率器件，P‑衬底、有源顶层硅、横向多晶硅栅、纵向多晶硅栅、源电极区、漏电极区和场氧层，有源硅层包含有纵向NPN结构即纵向排列的上层N型硅条、中层P型...
胡盛东金晶晶陈银晖朱志武星河李少红阮祯臻丁文春
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一种具有纵向NPN结构的双栅LDMOS器件
本发明公开了一种具有纵向NPN结构的双栅LDMOS器件,涉及一种半导体功率器件，P-衬底、有源顶层硅、横向多晶硅栅、纵向多晶硅栅、源电极区、漏电极区和场氧层，有源硅层包含有纵向NPN结构即纵向排列的上层N型硅条、中层P型...
胡盛东金晶晶陈银晖朱志武星河李少红阮祯臻丁文春
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