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赵金波

作品数：37 被引量：0H指数：0
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合作作者

领域

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  • 19个半导体
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  • 7个掩膜
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机构

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  • 1个杭州士兰微电...

资助

  • 1个国家科技重大...

传媒

  • 4个2014`全...
  • 2个半导体技术
  • 2个中国集成电路
  • 1个电子测试
  • 1个电子与封装

地区

  • 20个浙江省
共 20 条 记 录，以下是 1-10
杨彦涛
供职机构：杭州士兰集成电路有限公司
研究主题：沟槽 功率器件 功率半导体器件 半导体 接触孔
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
曹俊
供职机构：杭州士兰集成电路有限公司
研究主题：外延层 耗尽型 沟道 掺杂 掩膜
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王维建
供职机构：杭州士兰集成电路有限公司
研究主题：外延层 离子注入 耗尽型 沟道 掩膜
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
江宇雷
供职机构：杭州士兰集成电路有限公司
研究主题：形貌 半导体器件 刻蚀 测试仪 氧化层
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李云飞
供职机构：杭州士兰集成电路有限公司
研究主题：沟槽 功率器件 半导体 分次 过渡区
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王平
供职机构：杭州士兰集成电路有限公司
研究主题：外延层 功率半导体器件 沟槽 导电类型 掺杂
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王铎
供职机构：杭州士兰集成电路有限公司
研究主题：掺杂 发射区 二氧化硅 过渡区 调结构
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李立文
供职机构：杭州士兰集成电路有限公司
研究主题：硅片 光刻设备 光刻工艺 光刻版 沟槽
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘琛
供职机构：杭州士兰集成电路有限公司
研究主题：MEMS器件 外延层 发射区 介质层 硅片
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
季锋
供职机构：杭州士兰集成电路有限公司
研究主题：空腔 牺牲层 MEMS器件 半导体 衬底
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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