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江宇雷

作品数：12 被引量：0H指数：0
供职机构：杭州士兰集成电路有限公司更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 12篇中文专利

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 6篇形貌
  • 5篇半导体
  • 5篇半导体器件
  • 4篇刻蚀
  • 3篇电流
  • 3篇电流密度
  • 3篇电阻
  • 3篇淀积
  • 3篇氧化层
  • 3篇正切
  • 3篇熔断
  • 3篇熔丝
  • 3篇线宽
  • 3篇沟槽
  • 3篇光刻
  • 3篇测试仪
  • 2篇调结构
  • 2篇定理
  • 2篇研磨工艺
  • 2篇外延层

机构

  • 12篇杭州士兰集成...

作者

  • 12篇江宇雷
  • 12篇杨彦涛
  • 8篇赵金波
  • 3篇韩健
  • 3篇崔小锋
  • 3篇陈文伟
  • 3篇刘琛
  • 3篇季锋
  • 3篇雷辉
  • 3篇刘慧勇
  • 2篇赵学峰
  • 2篇袁家贵
  • 1篇袁媛
  • 1篇吴继文

年份

  • 1篇2018
  • 2篇2017
  • 3篇2015
  • 4篇2014
  • 2篇2013
共 12 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
半导体沟槽结构的形成方法
本发明提供了一种半导体沟槽结构的形成方法，所述半导体沟槽结构的形成方法包括：提供半导体衬底，并在所述半导体衬底上顺次形成第一介质层和第二介质层；去除部分第二介质层，形成第一窗口；执行氧化工艺，在所述第一窗口中形成鸟嘴结构...
杨彦涛季锋江宇雷赵金波刘琛桑雨果
文献传递
一种半导体器件及其制作方法
本发明提供一种半导体器件及其制作方法，包括：提供一半导体衬底，并在所述半导体衬底上形成一研磨停止层；刻蚀所述研磨停止层和部分厚度的半导体衬底，同时形成标记窗口和掺杂区沟槽；进行外延生长工艺形成外延层，所述外延层覆盖所述研...
杨彦涛江宇雷赵金波袁家贵崔小锋赵学峰
文献传递
沟槽形貌监控方法以及沟槽形貌监控结构制作方法
本发明提供一种沟槽形貌监控方法以及沟槽形貌监控结构制作方法，利用线宽测量工具测量沟槽形貌监控结构中第二沟槽的顶部宽度以及底部宽度，利用台阶测试仪测量第一沟槽的深度，根据所述第一沟槽的深度获得所述第二沟槽的深度，并根据所述...
杨彦涛赵金波江宇雷杨雪邹光祎钟荣祥
文献传递
一种修调电阻及其制造方法
本发明提供一种修调电阻，包括半导体衬底；介质层，形成于半导体衬底上；熔丝修调形状，由熔丝淀积形成于介质层上，熔丝修调形状有熔断区域和两端，熔断区域中有改变电流密度大小的修调结构和在熔丝修调形状的两端分别有连接垫；钝化层，...
杨彦涛陈文伟刘慧勇韩健江宇雷雷辉
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一种修调电阻及其制造方法
本发明提供一种修调电阻，包括半导体衬底；介质层，形成于半导体衬底上；熔丝修调形状，由熔丝淀积形成于介质层上，熔丝修调形状有熔断区域和两端，熔断区域中有改变电流密度大小的修调结构和在熔丝修调形状的两端分别有连接垫；钝化层，...
杨彦涛陈文伟刘慧勇韩健江宇雷雷辉
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沟槽形貌监控方法以及沟槽形貌监控结构制作方法
本发明提供一种沟槽形貌监控方法以及沟槽形貌监控结构制作方法，利用线宽测量工具测量沟槽形貌监控结构中第二沟槽的顶部宽度以及底部宽度，利用台阶测试仪测量第一沟槽的深度，根据所述第一沟槽的深度获得所述第二沟槽的深度，并根据所述...
杨彦涛赵金波江宇雷杨雪邹光祎钟荣祥
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沟槽形貌监控结构
本实用新型提供一种沟槽形貌监控结构，利用线宽测量工具测量沟槽形貌监控结构中第二沟槽的顶部宽度以及底部宽度，利用台阶测试仪测量第一沟槽的深度，根据所述第一沟槽的深度获得所述第二沟槽的深度，并根据所述第二沟槽的顶部宽度、底部...
杨彦涛赵金波江宇雷杨雪邹光祎钟荣祥
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光刻胶去除方法和光刻工艺返工方法
本发明提供了一种光刻胶去除方法和光刻工艺返工方法，利用正性光刻胶曝光后再显影实现光刻胶的去除，同时在此去胶方法上实现光刻工艺返工方法，以解决现有技术中，正性光刻胶的去胶效果稳定性不佳，不仅无法达到去胶效果，还给返工工艺带...
杨彦涛江宇雷钟荣祥崔小锋吴继文袁媛
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半导体沟槽结构
本实用新型提供了一种半导体沟槽结构，所述半导体沟槽结构包括：半导体衬底；所述半导体衬底中形成有沟槽，所述沟槽的转折处均为圆弧形；所述沟槽及半导体衬底表面形成有氧化层。即得到了形貌良好、圆滑的沟槽，从而能够在此沟槽内得到厚...
杨彦涛季锋江宇雷赵金波刘琛桑雨果
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一种半导体器件及其制作方法
本发明提供一种半导体器件及其制作方法，包括：提供一半导体衬底，并在所述半导体衬底上形成一研磨停止层；刻蚀所述研磨停止层和部分厚度的半导体衬底，同时形成标记窗口和掺杂区沟槽；进行外延生长工艺形成外延层，所述外延层覆盖所述研...
杨彦涛江宇雷赵金波袁家贵崔小锋赵学峰
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