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赵金波

作品数：37 被引量：0H指数：0
供职机构：杭州士兰集成电路有限公司更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 37篇中文专利

领域

  • 10篇电子电信

主题

  • 13篇外延层
  • 12篇功率器件
  • 12篇沟槽
  • 11篇光刻
  • 11篇半导体
  • 8篇接触孔
  • 8篇沟道
  • 8篇半导体器件
  • 7篇退火
  • 7篇离子注入
  • 7篇掺杂
  • 6篇电阻
  • 6篇形貌
  • 6篇线宽
  • 6篇刻蚀
  • 6篇光刻设备
  • 6篇过渡区
  • 6篇耗尽型
  • 5篇掩膜
  • 4篇导通

机构

  • 37篇杭州士兰集成...

作者

  • 37篇赵金波
  • 22篇杨彦涛
  • 13篇曹俊
  • 12篇王维建
  • 8篇江宇雷
  • 6篇李云飞
  • 5篇王平
  • 3篇李立文
  • 3篇刘琛
  • 3篇肖金平
  • 3篇王铎
  • 3篇季锋
  • 3篇王珏
  • 3篇向璐
  • 3篇邵凯
  • 3篇陈琛
  • 3篇夏志平
  • 3篇赵学锋
  • 2篇赵学峰
  • 2篇崔小锋

年份

  • 3篇2023
  • 1篇2019
  • 2篇2018
  • 7篇2017
  • 6篇2016
  • 3篇2015
  • 4篇2014
  • 7篇2013
  • 3篇2012
  • 1篇2011
共 37 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
耗尽型MOSFET的制造方法
本发明公开了提供一种耗尽型MOSFET的制造方法，包括：提供一第一掺杂类型的掺杂衬底；在所述衬底的一面上形成第一掺杂类型的外延层；在所述外延层上形成第一掩膜层；以所述第一掩膜层为掩膜进行第一次离子注入，在所述外延层内形成...
赵金波王维建曹俊
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一种MOSFET功率器件减小导通电阻RDS(on)的工艺方法
本发明公开了一种MOSFET功率器件减小导通电阻RDS(on)的工艺方法，该方法包括A和B两种技术方案，所述的方法包括选择重掺杂N型衬底，生长轻惨杂N外延层、做磷注入、高温退火，在外延层表面形成一定结深的浓N型区、在外延...
赵金波王维建闻永祥
沟槽形貌监控方法以及沟槽形貌监控结构制作方法
本发明提供一种沟槽形貌监控方法以及沟槽形貌监控结构制作方法，利用线宽测量工具测量沟槽形貌监控结构中第二沟槽的顶部宽度以及底部宽度，利用台阶测试仪测量第一沟槽的深度，根据所述第一沟槽的深度获得所述第二沟槽的深度，并根据所述...
杨彦涛赵金波江宇雷杨雪邹光祎钟荣祥
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一种平面栅功率器件
本实用新型提供了一种平面栅功率器件，通过光刻和刻蚀工艺形成接触孔后，先进行P型区注入以及退火工艺形成P型区，再刻蚀接触孔侧壁的掩蔽层，暴露出N型区的上表面，即可实现N型区的平面横向接触，保证N型区的接触面积，避免导通电阻...
杨彦涛王平赵金波曹俊苑羽中
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耗尽型VDMOS及其制造方法
本发明公开了提供一种耗尽型VDMOS及其制造方法，其中耗尽型VDMOS包括：一第一掺杂类型的掺杂衬底；形成于所述衬底一面上的第一掺杂类型的外延层；形成于所述外延层内的至少两个第二掺杂类型的深阱；以及形成于每个所述深阱两侧...
赵金波王维建曹俊
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沟槽功率器件
本实用新型揭示了一种沟槽功率器件。本实用新型提供的一种沟槽功率器件，通过在半导体衬底中形成第一沟槽，并将第一阻止层、多晶硅材料层设置于所述第一沟槽中，进而实现了静电隔离结构设置在半导体衬底中，避免了静电隔离结构高于第二沟...
杨彦涛赵金波陈琛梅良波彭博威
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半导体沟槽结构的形成方法
本发明提供了一种半导体沟槽结构的形成方法，所述半导体沟槽结构的形成方法包括：提供半导体衬底，并在所述半导体衬底上顺次形成第一介质层和第二介质层；去除部分第二介质层，形成第一窗口；执行氧化工艺，在所述第一窗口中形成鸟嘴结构...
杨彦涛季锋江宇雷赵金波刘琛桑雨果
功率半导体器件及其制造方法
本申请公开了功率半导体器件及其制造方法。所述方法包括：在半导体衬底的第一表面上形成外延层，半导体衬底和外延层均为第一掺杂类型且分别具有第一掺杂浓度和第二掺杂浓度；在外延层上形成栅叠层，栅叠层包括栅介质层和栅极导体，栅介质...
赵金波曹俊张邵华王平闻永祥顾悦吉王珏
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半导体沟槽结构的形成方法
本发明提供了一种半导体沟槽结构的形成方法，所述半导体沟槽结构的形成方法包括：提供半导体衬底，并在所述半导体衬底上顺次形成第一介质层和第二介质层；去除部分第二介质层，形成第一窗口；执行氧化工艺，在所述第一窗口中形成鸟嘴结构...
杨彦涛季锋江宇雷赵金波刘琛桑雨果
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减少熔丝尖刺的修调结构
本实用新型提供一种减少熔丝尖刺的修调结构，包括半导体衬底；介质层；形成于介质层上的修调熔丝具有一修调电阻、两探针接触垫及分别用于连接修调电阻和探针接触垫的过渡区，过渡区中具有减少修调电阻熔丝尖刺的修调刻开区；形成在修调熔...
杨彦涛赵金波王铎李云飞肖金平
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