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王同祥

作品数：15 被引量：23H指数：3
供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
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杨瑞霞
供职机构：河北工业大学
研究主题：砷化镓 GAAS 太阳电池 磷化铟 半绝缘
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李亮
供职机构：中国电子科技集团第十三研究所
研究主题：滤波器 谐振器 滤波器技术 薄膜体声波谐振器 腔体
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
潘宏菽
供职机构：中国电子科技集团第十三研究所
研究主题：碳化硅 SIC_MESFET 微波 SIC S波段
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
丁奎章
供职机构：中国电子科技集团第十三研究所
研究主题：半导体器件 自对准 T形栅 T型栅 腐蚀速率
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
周瑞
供职机构：中国电子科技集团公司第十三研究所
研究主题：GAAS_MMIC SEM分析 扫描电镜 GAASMMIC SEM
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王生国
供职机构：中国电子科技集团第十三研究所
研究主题：MMIC 单片微波集成电路 功率放大器 KA波段 高电子迁移率晶体管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
宋力波
供职机构：中国电子科技集团第十三研究所
研究主题：T形栅 半导体器件 腐蚀速率 反应离子刻蚀 自对准
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘立浩
供职机构：河北工业大学信息工程学院
研究主题：击穿电压 NH GAAS_MMIC SEM分析 砷化镓
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
冯震
供职机构：中国电子科技集团第十三研究所
研究主题：X波段 输出功率 SIC_MESFET HFET ALGAN/GAN
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张雄文
供职机构：中国电子科技集团公司第十三研究所
研究主题：GAAS_MMIC SEM分析 迁移率 扫描电镜 场效应晶体管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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