高学邦
- 作品数：86 被引量：145H指数：7
- 供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划国家重点实验室开放基金天津市自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信电气工程自动化与计算机技术更多>>
- 微波功率电路的热电耦合CAD研究被引量：1
- 1998年
- 本文提出了一种新的方法用于微波功率电路的热电一体化设计。该方法是谐波平衡技术的扩展，其特点是能够同时模拟功率电路的电性能和电路中有源器件的结温，并具有很好的计算效率，该方法已实现在通用微波４卜线性模拟软件中。一个Ｃ波段功率放大器的模拟和测量结果的比较证实了本文方法较传统的电学ＣＡＤ方法更为精确和全面。
- 高学邦高建军吴洪江蒋敬旗
- 关键词：热电耦合谐波平衡CAD
- 26GHz Doherty MMIC功率放大器的研制被引量：1
- 2019年
- 研制了一款可应用于新一代宽带无线移动通信系统的26 GHz GaN单片微波集成电路(MMIC) Doherty功率放大器(DPA)。Doherty功率放大器的输入匹配网络中采用兰格耦合器进行载波功率放大器和峰值功率放大器功率合成及90°相位补偿,输出网络中采用相位补偿线和阻抗变换电路,提高了放大器的线性度和效率。采用SiC衬底AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺进行了流片,芯片面积为3.0 mm×2.5 mm。芯片装配后测试表明,在频率为24.5～26.0 GHz内,Doherty MMIC功率放大器饱和输出功率为4 W,饱和时漏极效率大于24%,在回退8 dB时的漏极效率大于15%。
- 董毅敏蔡道民高学邦邬佳晟汪江涛谭仁超
- 一种收发一体多功能电路
- 本发明公开了一种收发一体多功能电路，涉及收发两用电路技术领域。包括天线端通道选择开关电路、接收通道低噪声放大器电路、驱动端通道选择开关电路、发射通道功率放大器电路和收发支路电源控制电路，接收通道低噪声放大器电路和发射通道...
- 方园吴洪江韩芹高学邦刘永强刘如青李富强曾志王向玮崔玉兴魏洪涛
- 文献传递
- 功率放大装置和微波电路
- 本发明涉及放大器技术领域，提供了功率放大装置和微波电路。该功率放大装置包括：输入子电路包含功分器、主功率放大单元输入匹配网络、辅助功率放大单元输入匹配网络、第一等效网络，功分器将第一输入端接收到的功率信号分成至少两路功率...
- 汪江涛蔡道民董毅敏高学邦
- 文献传递
- MESFET和PHEMT大信号建模被引量：8
- 2000年
- 分析了 MESFET和 PHEMT大信号建模的现状 ,提出了在 DC和脉冲两种状态下通用于 MESFET和 PHEMT的精确 I-V模型 ;提出了具有二维 C-V模型精度的一维C-V模型和负载线 S参数测量提取方法 ;提出了采用改进 Cold FET测量与提取技术进行管壳封装器件建模的方法。本文的大信号模型具有很好的数值收敛性和标准的等效电路。提出的模型精确地模拟了器件的 DC I-V、脉冲 I-V、偏置相关 S参数、 C-V特性和电路的功率、增益、效率以及线性特性 ,并用几个实例证实了其精度和通用性。
- 高学邦
- 关键词：信号MESFETPHEMT
- V波段3W GaN功率放大器MMIC被引量：2
- 2021年
- 以50μm厚的SiC为衬底,基于T型栅GaN HEMT工艺技术,设计并制作了一款V波段GaN功率放大器单片微波集成电路(MMIC)。该功率放大器MMIC电路采用三级放大拓扑结构进行设计;采用高低阻抗微带传输线进行阻抗匹配和片上功率合成;采用介质电容和薄膜电阻进行偏置网络设计,实现稳定工作和低损耗输出。经测试,在55~65 GHz频带内,漏极工作电压+20 V、栅极工作电压-2.3 V的偏置条件下,在占空比20%、脉宽100μs脉冲状态时,该功率放大器MMIC的饱和输出功率达到3 W以上,功率附加效率达到22%;连续波状态时,其饱和输出功率达到2.5 W以上,60 GHz时最高功率达到3 W。
- 刘如青刘帅高学邦付兴中
- 关键词：V波段氮化镓功率放大器连续波
- 栅极电源偏置电路和功率放大器
- 本发明涉及放大器技术领域，提供了栅极电源偏置电路和功率放大器。该栅极电源偏置电路应用于毫米波功率放大器，包括：微带线，一端与毫米波功率放大器中的高电子迁移率晶体管HEMT的栅极连接；第一电阻单元，一端与所述微带线的另一端...
- 董毅敏蔡道民汪江涛高学邦段雪
- 文献传递
- 栅极偏置电路及功率放大器
- 本发明适用于放大器技术领域，提供了一种栅极偏置电路及功率放大器，所述栅极偏置电路，包括：第一偏置电阻，所述第一偏置电阻的第一端用于连接外部直流电源；微带线，所述微带线的第一端与所述第一偏置电阻的第二端连接；第二偏置电阻，...
- 邬佳晟蔡道民董毅敏高学邦
- 文献传递
- 2～12GHz集成E/D驱动功能的数控衰减器单片被引量：11
- 2013年
- 在GaAs衬底上集成增强/耗尽型数字驱动器和数控衰减器,实现了数字电路与微波电路的一体化集成。数字部分采用直接耦合场效应逻辑结构实现,具有结构简单、速度快和功耗低等优点。2～12 GHz 6 bit数控衰减器,内置6位并行驱动电路,控制端减少为6个,晶体管—晶体管逻辑电路(TTL)电平控制,并行输入控制信号。电路测试结果为:插入损耗≤4.5 dB,开关时间≤15 ns,输入输出驻波比≤1.4∶1,均方根衰减误差(全态)≤0.7 dB,静态功耗为2.0 mA@-5 V,芯片尺寸为2.6 mm×1.6 mm×0.1 mm。在GaAs PHEMT衬底上实现了数字驱动和数控衰减等功能的集成,控制电平兼容应用系统电平,应用更简单,可靠性更高。
- 刘志军陈凤霞高学邦崔玉兴吴洪江
- 关键词：耗尽型TTL数控衰减器赝配高电子迁移率晶体管
- 实现L波段器件50Ω阻抗匹配的方法
- 本发明公开了一种实现L波段器件50Ω阻抗匹配的方法，涉及L波段器件匹配电路技术领域。所述方法包括如下步骤：在L波段器件的封装壳体内采用介电常数为30‑50的陶瓷基片作为衬底材料，通过T型网络将芯片的虚部阻抗抵消，实部阻抗...
- 银军寇彦雨段雪黄雒光余若祺张志国斛彦生吴志国刘新高学邦
- 文献传递
