刘文杰
- 作品数：14 被引量：29H指数：4
- 供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
- 发文基金：国家重点实验室开放基金国防科技重点实验室基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 基于GaN HEMT器件的宽带数字移相器
- 本发明适用微波单片集成电路技术领域，提供了一种基于GaN HEMT器件的宽带数字移相器，该宽带数字移相器包括顺序级联的180°移相单元、90°移相单元、22.5°移相单元、5.625°移相单元、11.25°移相单元和45...
- 谢媛媛吴洪江赵子润刘文杰王向玮刘如青魏洪涛李远鹏
- 2～4GHz GaN MMIC功率放大器被引量：4
- 2013年
- 相对GaAs材料而言,GaN具有更高的击穿电压和更高的功率密度,使得GaN更适合用于宽带功率放大器的设计和实现。采用比GaAs赝配高电子迁移率晶体管更小栅宽的器件,设计和实现了一种2～4 GHz GaN微波单片集成功率放大器,达到了与GaAs大栅宽器件同样的输出功率。通过研究GaN功率器件的材料生长、器件设计、模型提取、电路匹配以及热分析等技术,并对电路的设计和工艺进行优化。在器件输入端设计了有耗匹配网络以获得宽带,在输出端设计了电抗匹配网络以降低功率损耗,提高效率。把芯片装配到测试夹具进行了10%脉冲条件下的功率测试,测试结果表明,28 V供电、工作电流为1.2 A时,微波单片集成功率放大器在频带内的功率增益大于20 dB,输出功率约为10 W,功率附加效率达到30%。电路芯片尺寸为3.99 mm×2.1 mm。
- 刘文杰高学邦
- 关键词：氮化镓功率放大器
- 毫米波单刀双掷开关的设计与制作被引量：5
- 2009年
- 以0.25μm GaAs PHEMT为基础，介绍了微波单片集成电路开关模型的设计、测试及建模过程，并以此平台开展了单刀双掷开关芯片的设计与研制。讨论了PHEMT开关建模的重要性，解决了建模中的关键问题，包括开关的设计、测试系统的校准、模型参数的提取，建立了毫米波范围内高精度的等效电路模型。单刀双掷开关的设计采用了并联式反射型电路拓扑，开关的测试采用了微波探针在片测试系统，在18-30 GHz获得了优异的电性能，插入损耗IL≤1.5 dB，输入/输出驻波比VSWR≤1.5∶1，关断状态下的隔离度ISO≥30 dB，芯片尺寸为1.2 mm×1.8 mm×0.1 mm。
- 李富强方园高学邦吴洪江刘文杰
- 关键词：毫米波单刀双掷开关砷化镓赝配高电子迁移率晶体管
- DC～40GHz反射型GaAs MMIC SPST开关被引量：3
- 2008年
- 介绍了基于GaAs PHEMT工艺设计的一款宽带反射型MMIC SPST开关的相关技术,基于成熟的微波单片集成电路设计平台开展了宽带SPST开关设计。工作频率范围为DC^40 GHz,插入损耗≤0.8 dB,隔离度≥25 dB,驻波比≤1.4∶1。同时,对电路的通孔特性进行了分析,对电路设计流程进行了阐述。要获得期望带宽的开关,如何选择控制器件的通孔连接方式,以及通孔数量对插入损耗等性能的影响。最终,具有小尺寸和优异微波性能的GaAs微波单片集成单刀单掷开关电路成功开发。
- 方园李富强高学邦吴洪江魏洪涛刘文杰
- 关键词：GAAS微波单片集成电路单刀单掷开关
- 具有数控衰减和放大功能的单片集成电路被引量：1
- 2014年
- 报道了一款新颖单片集成电路,其集成了数控衰减功能及放大功能。在设计过程中,为实现单片集成电路的宽带特性,放大单元采用负反馈结构;为实现单片集成电路的低噪声特性和功率特性,精确测量器件的噪声特性,合理选择放大单元中器件的工作点,合理布局放大单元和衰减单元衔接顺序;为实现单片集成电路的高精度衰减特性,针对不同衰减量合理选择T型和π型结构。通过以上设计手段,该单片集成电路在1.5～7 GHz增益达到20 dB、噪声系数2 dB、1 dB压缩点输出功率高达18 dBm;能够实现1 dB步进、最大衰减量达到31 dB的衰减功能。该单片集成电路把三款单功能电路集成在一个芯片上,在实现同样功能的前提下大幅缩减芯片面积,有效降低成本。
- 刘会东刘文杰高学邦
- 关键词：宽带放大器衰减器砷化镓
- 反馈式宽带MMIC放大器的设计与实现被引量：5
- 2009年
- 介绍了用Agilent ADS软件设计的一种反馈式GaAs MMIC宽带放大器。采用单级GaAs微波场效应管,电路结构上通过并联负反馈的形式增加带宽,可以覆盖2～18GHz频带,增益大于6dB,输入输出驻波比3∶1;采用5～8V单电源供电,电流35mA,芯片面积1.5mm×1.5mm×0.1mm。具有面积小,使用方便的特点,可以用来补充通道增益,也可以多级级联,用于增益需求比较高的场合,可广泛应用于各种微波系统。
- 刘文杰刘志军高学邦
- 关键词：宽带放大器砷化镓微波单片集成电路场效应管单电源
- MMIC和RFIC的CAD被引量：10
- 2004年
- 微波单片集成电路和射频集成电路频率和集成度的提高使设计复杂化,对计算机辅助设计的依赖性更强,元器件行为的精确描述和仿真器的功能是设计精度的关键所在。本文对微波单片集成电路和射频集成电路设计的计算机辅助设计问题进行了论述,着重讨论了元器件模型和仿真器功能在微波射频集成电路设计中的问题和应用。
- 王绍东高学邦刘文杰吴洪江
- 关键词：射频集成电路RFIC微波单片集成电路MMIC仿真器CAD
- C波段GaAs低噪声放大器单片电路设计被引量：1
- 2008年
- 主要介绍了C波段低噪声单片放大器的设计方法和电路设计指标。电路设计基于ADS微波设计环境,采用GaAs工艺技术实现。通过电路设计与电路版图电磁验证相结合的方法,准确设计出了电路。本单片采用两级放大,电路工作频率范围为5-6 GHz,噪声系数小于1.2 dB,增益大于24 dB,输入输出驻波比小于1.5∶1,增益平坦度ΔGp≤±0.1 dB,1 dB压缩点P-1≥12dBm,直流电流小于50 mA。电路最终测试结果与设计结果吻合。
- 王德宏刘志军刘文杰高学邦吴洪江
- 关键词：C波段低噪声放大器单片微波集成电路
- 宽带GaAs MMIC开关耦合器芯片设计被引量：2
- 2009年
- 介绍了一种宽带开关耦合器芯片的研制。在GaAspHEMT工艺平台上将宽带单刀双掷开关和兰格耦合器集成在一个芯片上，在实现二路功率分配功能的同时，还提供了在两个输出端口之间±90°相位切换的功能。该芯片频率范围覆盖6～18GHz，在整个频带内插入损耗〈3．7dB，相位误差〈14°，输入输出驻波比〈1．8：1。芯片尺寸1．5mm×3．0mm×0．1mm。详细描述了电路的设计流程，并提供最终的测试结果。该芯片具有频带宽、体积小、使用方便等特点，可应用于不同的微波系统。
- 刘文杰吴洪江高学邦
- 关键词：宽带砷化镓微波单片集成电路PHEMT微波开关兰格耦合器
- 具有正斜率增益的GaAs MMIC宽带放大器芯片设计被引量：1
- 2012年
- 介绍了一种宽带放大器芯片,该放大器的工作频率覆盖了2～12 GHz,采用砷化镓(GaAs)赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)单片电路工艺实现。在一个宽带负反馈放大器的前面集成了一个幅度均衡器,使放大器的增益在整个带内具有7 dB的正斜率,频率低端(2 GHz)增益为3 dB,高端(12 GHz)为10 dB,输入输出电压驻波比为1.6∶1,饱和输出功率为20 dBm,芯片尺寸为2.0 mm×1.5 mm×0.1 mm。详细描述了电路的设计流程,并对最终的测试结果进行了分析。该芯片具有频带宽、体积小、使用方便的特点,可作为增益块补偿微波系统中随着频率升高而产生的增益损失。
- 刘文杰高学邦
- 关键词：砷化镓赝配高电子迁移率晶体管均衡器放大器
