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王凤华

作品数：9 被引量：2H指数：1
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信轻工技术与工程金属学及工艺更多>>

合作作者

领域

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机构

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地区

  • 13个北京市
共 13 条 记 录，以下是 1-10
刘京明
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：锑化镓 砷化铟 单晶片 GASB 衬底
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
谢辉
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：砷化铟 锑化镓 单晶片 衬底 砷
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
赵有文
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：磷化铟 单晶生长 INP 砷化铟 ZNO单晶
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
杨俊
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：单晶生长 砷化铟 磷化铟 INP 衬底
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
卢伟
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：砷 砷化铟 磷化铟 氧化物 INP单晶
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘刚
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：衬底 单晶生长 INAS INP单晶 磷化铟
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
高永亮
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：微缺陷 VGF LEC 单晶生长 温控设备
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
杨凤云
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：锑化镓 GASB 衬底 INAS INP单晶
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王俊
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：半导体激光器 衬底 硅衬底 电极接触 波导
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
董志远
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：单晶生长 磷化铟 ZNO单晶 ZNO INP
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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