谢辉
- 作品数：22 被引量：12H指数：2
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学金属学及工艺电气工程更多>>
- 晶硅太阳电池黑斑分析被引量：7
- 2017年
- p型单晶硅太阳电池在EL检测过程中,部分电池片出现黑斑现象。结合X射线能谱分析(EDS),对黑斑片与正常片进行对比分析,发现黑斑片电池与正常电池片大部分表面的成分相同,排除了镀膜及丝网印刷过程中产生黑斑的可能。利用X射线荧光光谱分析(XRF)测试了同一电池片的黑斑区域与正常区域,发现黑斑处Ca含量较大,并出现Sr、Ge和S等杂质元素。将6个档位的电池片制备成2cm×2cm的电池样片,利用光生诱导电流测量了每个电池的外量子效率(EQE)。在460~1 000nm波长范围内,同一电池片黑斑处与正常处的EQE相差较大,说明黑斑的出现与原生硅片缺陷无关,应归结于电池片生产过程中引入的杂质缺陷。给出了杂质引入的原因以及解决途径,从而显著减小了黑斑片产生的几率。
- 陈晓玉刘彤刘京明谢辉赵有文董志远马承红和江变
- 关键词：黑斑能谱分析X射线荧光光谱外量子效率
- 4英寸GaSb和InAs单晶生长及红外探测用衬底制备
- 随着新型光电器件、红外探测器等制备技术的不断进步,对单晶衬底的尺寸和质量提出了更高的要求。本文介绍了采用液封直拉法(LEC)生长 4 英寸(100)晶向的 GaSb和InAs 单晶以及衬底晶片制备技术的最新进展。通过优化...
- 杨俊段满龙王凤华董志远刘京明谢辉卢伟刘刚王俊高永亮赵有文
- 关键词：GASBINAS单晶衬底
- 砷化铟晶体合成生长装置及方法
- 本发明提供一种砷化铟晶体合成生长装置及方法，装置包括：旋转升级系统；石英合成生长管，设置于旋转升级系统上，用于提供真空环境，旋转升级系统用于控制石英合成生长管的旋转及升降；第一坩埚，设于石英合成生长管内部靠近旋转升级系统...
- 刘京明杨俊卢伟王凤华谢辉沈桂英赵有文
- 锑化镓晶片湿法腐蚀方法
- 本发明公开了一种锑化镓晶片湿法腐蚀方法，包括：将锑化镓晶片进行去蜡处理，减少颗粒和杂质的吸附；将去蜡后的锑化镓晶片置于腐蚀液中浸泡，去除锑化镓晶片表面残留颗粒和杂质；对腐蚀后的锑化镓晶片进行冲洗并干燥。该方法能够有效减少...
- 谢辉赵有文赵士强沈桂英刘京明王凤华
- 砷化铟单晶片位错腐蚀液及位错腐蚀检测方法
- 一种砷化铟单晶片位错腐蚀液及位错腐蚀检测方法，涉及缺陷检测技术领域。砷化铟单晶片位错腐蚀液，主要由盐酸、硫酸和水组成。本发明提供的位错腐蚀液的原料价格低廉、易于得到，腐蚀效率高。本发明还提供了采用上述位错腐蚀液进行位错腐...
- 沈桂英赵有文孙静刘京明余丁谢辉
- 文献传递
- 一种制备P型锰掺杂的砷化铟单晶的方法
- 本发明公开了一种制备P型锰掺杂的砷化铟单晶的方法，该方法在砷化铟单晶片的上下表面沉积一层具有一定厚度的锰薄膜作为扩散源，在砷的气氛中进行高温长时间热处理，使锰原子扩散到砷化铟材料内，并激活为有效受主，最后以适当的方法去除...
- 沈桂英赵有文白永彪刘京明谢辉
- 文献传递
- 晶体边缘液封切割装置及晶体边缘切割方法
- 本公开提供了一种晶体边缘液封切割装置及晶体边缘切割方法，晶体边缘液封切割装置包括切割机槽、夹持件、驱动电机、升降件和切割件，切割机槽内设有冷却液；夹持件平行于切割机槽的底部，设于切割机槽侧壁，夹持件的高度小于冷却液的高度...
- 刘京明刘刚卢伟杨俊沈桂英王凤华谢辉
- 无位错Te-GaSb(100)单晶抛光衬底的晶格完整性被引量：2
- 2022年
- 采用液封直拉(LEC)法批量生长的直径2英寸(1英寸=2.54 cm)n型Te-GaSb(100)单晶的位错腐蚀坑密度(EPD)通常低于300 cm^(-2),达到无位错水平。本文利用X射线摇摆曲线以及倒易空间图(RSM)对这种GaSb单晶抛光衬底的晶格完整性和亚表面损伤情况进行了分析表征,结果表明经过工艺条件优化的化学机械抛光处理,GaSb单晶衬底表面达到原子级光滑,不存在亚表面损伤层。利用分子束外延在这种衬底上可稳定生长出高质量的Ⅱ类超晶格外延材料并呈现出优异的红外探测性能。在此基础上,对CaSb衬底材料的物性、生长制备和衬底加工条件之间的内在关系进行了综合分析。
- 冯银红沈桂英赵有文刘京明刘京明杨俊谢辉王国伟
- 关键词：GASB衬底化合物半导体
- ZnO体单晶的Sb离子注入掺杂及退火激活方法
- 本发明公开了一种ZnO体单晶的Sb离子注入掺杂及退火激活方法，包括：采用SRIM软件程序模拟多种能量和剂量的Sb离子注入掺杂ZnO体单晶；按照SRIM模拟得到的多种能量和剂量的Sb离子对ZnO体单晶样品分别进行注入掺杂；...
- 谢辉赵有文
- 文献传递
- 掺硫砷化铟体单晶片、其腐蚀方法及腐蚀剂
- 一种掺硫砷化铟体单晶片、其腐蚀方法及腐蚀剂，该腐蚀剂，包括三氧化铬、氢氟酸和水，其中，三氧化铬、氢氟酸、水的配制比例为(0.5至2)g：(2至10)mL：(0至50)mL。本发明生长条纹的腐蚀剂的原料易于得到且价格低廉，...
- 孙静赵有文谢辉沈桂英董志远刘京明周媛
- 文献传递
