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砷化铟晶体合成生长装置及方法: 本发明提供一种砷化铟晶体合成生长装置及方法，装置包括：旋转升级系统；石英合成生长管，设置于旋转升级系统上，用于提供真空环境，旋转升级系统用于控制石英合成生长管的旋转及升降；第一坩埚，设于石英合成生长管内部靠近旋转升级系统...; 刘京明杨俊卢伟王凤华谢辉沈桂英赵有文

一种控制砷化铟中Ⅲ族铟和Ⅴ族砷氧化物的方法: 本公开提供一种控制砷化铟中III族铟和V族砷氧化物的方法，包括：S1，将砷化铟晶体采用多线切割进行多片分离，得到砷化铟单晶片；S2，对砷化铟单晶片进行研磨；S3，采用化学机械抛光对S2所得的砷化铟单晶片进行平坦化处理；S...; 刘丽杰赵有文王俊王应利杨俊卢伟卢超

对砷化铟中III族铟和V族砷氧化物的检验方法及定量方法: 本公开提供一种对砷化铟中III族铟和V族砷氧化物的检验方法及定量方法，该检验方法包括：S1，将砷化铟衬底置于柠檬酸溶液中进行第一次腐蚀，再用去离子水冲洗；其中，砷化铟衬底表面形成有自然氧化层；S2，将S1所得的砷化铟衬底...; 刘丽杰赵有文王俊王应利杨俊卢伟刘京明卢超谢辉

4英寸低位错(100)InP单晶的VGF生长、缺陷及成晶率: 采用高压垂直温度梯度凝固法(VGF)生长了掺铁、掺硫及非掺杂的 4 英寸直径(100)InP 单晶，获得的单晶的平均位错密度介于 100-5000cm-2 之间。对 InP 晶片上进行多点 X-射线双晶衍射测试，其(00...; 赵有文段满龙卢伟杨俊董志远刘刚刘京明王风华刘鹏; 关键词：孪晶

晶体边缘液封切割装置及晶体边缘切割方法: 本公开提供了一种晶体边缘液封切割装置及晶体边缘切割方法，晶体边缘液封切割装置包括切割机槽、夹持件、驱动电机、升降件和切割件，切割机槽内设有冷却液；夹持件平行于切割机槽的底部，设于切割机槽侧壁，夹持件的高度小于冷却液的高度...; 刘京明刘刚卢伟杨俊沈桂英王凤华谢辉

一种控制砷化铟中Ⅲ族铟和Ⅴ族砷氧化物的方法: 本公开提供一种控制砷化铟中III族铟和V族砷氧化物的方法，包括：S1，将砷化铟晶体采用多线切割进行多片分离，得到砷化铟单晶片；S2，对砷化铟单晶片进行研磨；S3，采用化学机械抛光对S2所得的砷化铟单晶片进行平坦化处理；S...; 刘丽杰赵有文王俊王应利杨俊卢伟卢超

4 inch低位错密度InP单晶的VGF生长及性质研究被引量：3: 2017年; 采用高压垂直温度梯度凝固法(VGF)生长了非掺、掺硫和掺铁的4 inch直径(100)InP单晶,获得的单晶的平均位错密度均小于5000 cm^(-2)。对4 inch InP晶片上进行多点X-射线双晶衍射测试,其(004)X-射线双晶衍射峰的半峰宽约为30弧秒且分布均匀。与液封直拉法(LEC)相比,VGF-InP单晶生长过程的温度梯度很低,导致其孪晶出现的几率显著增加。然而大量晶体生长结果表明VGF-InP晶锭上出现孪晶后,通常晶体的生长方向仍为(100)方向,这确保从生长的4 inch VGF-InP(100)晶锭上仍能获得相当数量的2~4 inch(100)晶片。由于铁在InP中的分凝系数很小,掺Fe-InP单晶VGF生长过程中容易出现组份过冷,导致多晶生长。通过控制生长温度梯度及掺铁量,可获得较高的掺铁InP单晶成晶率。对VGF-InP单晶的电学性质、位错密度及位错的分布特点、晶体完整性等进行了研究。; 赵有文段满龙卢伟杨俊董志远刘刚高永亮杨凤云王风华王俊刘京明谢辉王应利卢超; 关键词：孪晶

低位错密度4 inchGaSb(100)单晶生长及高质量衬底制备被引量：2: 2017年; 采用液封直拉法(LEC)生长了4 inch直径(100)GaSb单晶并进行了衬底晶片的加工制备。通过优化热场,可重复生长出非掺和掺Te整锭(100)单晶,单晶锭的重量为5~8 kg,成晶率可达80%以上。4 inch(100)晶片大部分区域的位错腐蚀坑密度小500 cm^(-2) ,其(004)双晶衍射峰的半峰宽为29弧秒,表明晶片衬底的完整性相当好。晶体生长过程中固液界面较为平坦,因而晶片表现出良好的横向电学均匀性。经研磨和机械化学抛光,制备出具备良好平整度和表面粗糙度的开盒即用衬底晶片。通过控制本征受主缺陷浓度和掺杂浓度,制备出具有良好近红外透光率的n型GaSb单晶衬底。; 杨俊段满龙卢伟刘刚高永亮董志远王俊杨凤云王凤华刘京明谢辉王应利卢超赵有文; 关键词：单晶衬底

晶锭切割加工方法和晶体切割料的循环利用方法: 本公开提供了一种晶锭切割加工方法和晶体切割料的循环利用方法，晶锭切割加工方法包括：对待加工的晶锭进行定向处理，确定晶锭加工的晶向；根据晶锭加工的晶向，对晶锭进行定向切割，得到预定晶向的晶锭；对预定晶向的晶锭的边缘进行旋转...; 刘京明刘刚卢伟杨俊沈桂英王凤华谢辉

4英寸GaSb和InAs单晶生长及红外探测用衬底制备: 随着新型光电器件、红外探测器等制备技术的不断进步,对单晶衬底的尺寸和质量提出了更高的要求。本文介绍了采用液封直拉法(LEC)生长 4 英寸(100)晶向的 GaSb和InAs 单晶以及衬底晶片制备技术的最新进展。通过优化...; 杨俊段满龙王凤华董志远刘京明谢辉卢伟刘刚王俊高永亮赵有文; 关键词：GASB INAS 单晶衬底

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卢伟