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韩克锋

作品数：19 被引量：6H指数：2
供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所更多>>
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领域

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地区

  • 15个江苏省
共 15 条 记 录，以下是 1-10
黄念宁
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：砷化镓 PHEMT GAAS 孤子解 低噪声放大器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
孔月婵
供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题：金刚石 衬底 键合 二维电子气 氮化镓
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
秦桂霞
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：GAN高电子迁移率晶体管 非线性 收敛性 大信号模型 大信号
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
高建峰
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：GAAS 砷化镓 PHEMT INP基 高电子迁移率晶体管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
邹鹏辉
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：电子束蒸发 GAAS INP基 金膜 TI
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
高喜庆
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：HEMT 高电子迁移率晶体管 一致性 INGAAS/INP INALAS/INGAAS
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李建平
供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题：KU波段 GAAS_PHEMT 高电子迁移率晶体管 砷化镓 低噪声放大器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
吴少兵
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：GAN 电子束直写 GAN高电子迁移率晶体管 功率放大器 低噪声放大器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王创国
供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题：HFO 高电子迁移率晶体管 金属氧化物半导体 射频特性 栅介质
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
朱琳
供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题：HFO 高电子迁移率晶体管 金属氧化物半导体 射频特性 栅介质
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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