黄念宁
- 作品数：44 被引量：52H指数：3
- 供职机构：南京电子器件研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家教育部博士点基金国防科技技术预先研究基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学电气工程自动化与计算机技术更多>>
- 金属陶瓷贴片封装的S波段六位数控移相器
- 2011年
- 介绍了一款自主设计采用0.25μm GaAs PHMET开关工艺制作的的S波段六位数控移相器芯片和金属陶瓷表贴管壳内的设计方法和研制结果。该移相器在工作频带2.8～3.6GHz内64个移相态的移相精度RMS<1.0°、插入损耗IL<5dB、输入输出驻波比VSWR<1.5、幅度均衡ΔIL<0.3dB、1分贝压缩输入功率大于25dBm、切换时间ton、toff均小于10ns。外形尺寸为10mm×10mm×2mm。
- 赵霞潘晓枫孙玢黄念宁
- 关键词：砷化镓赝配高电子迁移率晶体管
- 0.15μm Y型栅高In沟道GaAs PHEMT低噪声器件设计
- 2015年
- 设计了一种GaAs PHEMT低噪声器件。通过电子束直写手段实现了0.15μm Y型栅,对栅型优化以减小器件栅电阻和栅寄生电容。采用高In含量的沟道设计以改善沟道电子输运特性,采用InGaAs/GaAs复合帽层以改善欧姆接触特性,并通过低噪声工艺流程制作了4×50μm GaAs PHEMT器件。测试结果表明,器件fT达到80GHz,在10GHz处最小噪声系数小于0.4dB,相关增益大于10dB。对于0.15μm栅长GaAs PHEMT器件来说,这是很好的结果。
- 韩克锋黄念宁吴少兵秦桂霞
- 关键词：噪声系数
- 求解DNLS方程的反散射法的基本问题
- 2009年
- 对DNLS方程,反散射法应选取k2=p为基本谱参数,其中k为通常谱参数.并引入一个新的谱参数及一个规范变换,由此得到自由Jost解的规范正交系,这就是反散射法的基本问题.同时还得到了基于谱参数p的Marchenko方程和Zakharov-Shabat反散射方程.
- 何进春陈宗蕴黄念宁
- 156GHz 0.15μm GaAs Metamorphic HEMT器件研制
- 2010年
- 应用电子束直写技术成功制作了栅长0.15μm的高性能In0.52Al0.48As/In0.53Ga0.47As GaAs MHEMT。从工艺角度,结合器件的小信号等效电路的理论分析,优化了器件源漏间距,从而减小了器件寄生参数,达到了较好的器件性能。最终制作的In0.52Al0.48As/In0.53Ga0.47As MHEMT饱和电流达到495mA/mm,夹断电压-0.8V,在Vgs为-0.19V时的最大非本征跨导gm为1032mS/mm,截止频率ft达到156GHz,最大振荡频率fmax大于150GHz。
- 康耀辉高建峰黄念宁陈堂胜
- 关键词：T形栅截止频率
- 扩充的一维Ising模型的严格解
- 1989年
- 将一维Jsing模型扩充到自旋的取向除上、下外,还包括左、右的情形。求出了它的严格解并作了讨论。
- 文志雄文志英黄念宁
- 关键词：ISING模型严格解统计物理
- 电子束蒸发速率对Ti/GaAs肖特基势垒特性的影响被引量：2
- 2015年
- 通过在不同的速率下蒸发相同厚度的Ti金属薄膜,研究电子束蒸发速率对Ti膜表面形貌和性能的影响。试验表明随着Ti蒸发速率的提高,薄膜表面没有明显差别,但薄膜的结构变得致密,相同厚度下金属薄膜方阻变小,Ti金属间结合更紧密。同时在研究中发现不同速率蒸发的Ti膜能在一定范围内影响GaAs器件势垒高度,可以在同等条件下通过Ti蒸发速率调整来获得合适的肖特基势垒,因此Ti蒸发速率是制作GaAs器件肖特基势垒的关键因素之一。
- 邹鹏辉黄念宁王彦硕高建峰林罡徐筱乐
- 关键词：电子束蒸发肖特基势垒
- Zakharov-Shabat反散射方程的不可约形式
- 1989年
- 对求孤子解的Z-S反散射方程组,给出了它的等价的不可约形式。在求N-孤子解时,Z-S方程组由2N个线性代数方程组成,求解手续就是计算一个2N×2N矩阵之逆。而本文所得的它的不可约形式,是由N个线性代数方程组成的,求解只需计算一个N×N矩阵之逆,从而使计算量大大缩小。文未给出求两孤子解和呼吸子解的实际的简单计算和结果。
- 肖奕陈宗蕴黄念宁
- 关键词：孤子解
- 军工电子实施MES的制约要素与解决策略被引量：1
- 2018年
- 针对国内军工电子行业的生产和信息化管理现状,分析了当前国内军工电子行业的生产管理特点并提炼了军工电子生产执行系统(Manufacturing Execution System,MES)实施的制约要素。结合南京电子器件研究所MES项目的实施经验,提出了解决策略,并展示了MES项目在南京电子器件研究所的实施效果,生产过程记录工作量减少51%,数据录入时间缩短59.8%,记录损失减少76.0%,前置等待时间缩短10.3%,生产周期缩短30.3%;关联数据查询时间缩短95%,相关性分析效率提升大于80.9%;报表管理效率提高300%以上。
- 于永洲孙光峤黄念宁林罡祁玉发
- K波段单片功率放大器
- 报道了K波段的PHEMT MMIC的设计与研制。PHEMT器件采用0.5μm栅长的3inch GaAs标准工艺制作。三级的MMIC放大器在18GHz处，线性增益17dB，输出功率P<,-1>＝19dbm。
- 陈新宇蒋幼泉黄念宁陈效建
- 关键词：K波段单片功率放大器
- 文献传递
- K波段单片功率放大器被引量：3
- 2000年
- 报道了K波段的PHEMTMMIC的设计与研制。PHEMT器件采用0.5μm栅长的3inchGaAs标准工艺制作。三级的MMIC放大器在18GHz处,线性增益17dB,输出功率P－1=19dBm。
- 陈新宇蒋幼泉黄念宁陈效建
- 关键词：PHEMTMMICK波段单片功率放大器
