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高巍

作品数：188 被引量：21H指数：3
供职机构：电子科技大学更多>>
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地区

  • 36个四川省
共 36 条 记 录，以下是 1-10
张波
供职机构：电子科技大学
研究主题：功率半导体器件 半导体功率器件 导通压降 导电类型 电能传输系统
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
任敏
供职机构：电子科技大学
研究主题：导电类型 功率半导体器件 漂移区 半导体 导通压降
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李泽宏
供职机构：电子科技大学
研究主题：导通压降 功率半导体器件 半导体功率器件 导电类型 关断损耗
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张金平
供职机构：电子科技大学
研究主题：导通压降 功率半导体器件 关断损耗 槽栅 漂移区
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王志明
供职机构：电子科技大学
研究主题：量子点 单晶薄膜 吸收器 电压 石墨烯
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
罗蕾
供职机构：电子科技大学
研究主题：导电类型 掺杂 基区电阻 击穿电流 雪崩击穿
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
何文静
供职机构：电子科技大学
研究主题：导电类型 半导体 金属化 掺杂 终端结构
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
谢驰
供职机构：电子科技大学
研究主题：导电类型 半导体 掺杂 漂移区 VDMOS器件
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李爽
供职机构：电子科技大学
研究主题：导通电阻 漂移区 功率半导体器件 反向击穿电压 纵向电场
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
曹晓峰
供职机构：电子科技大学
研究主题：导通电阻 功率半导体器件 DMOS 反向击穿电压 掺杂
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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