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王柏年

作品数：2 被引量：0H指数：0
供职机构：南京电子器件研究所更多>>
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合作作者

领域

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主题

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  • 10个ALGAN/...
  • 10个HFET
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机构

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资助

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传媒

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  • 2个物理
  • 2个物理学进展
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  • 2个光电子技术
  • 2个半导体光电

地区

  • 11个江苏省
  • 1个北京市
共 12 条 记 录，以下是 1-10
张卫红
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：HFET ALGAN/GAN 欧姆接触
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
焦刚
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：高电子迁移率晶体管 ALGAN/GAN ALGAN/GAN_HEMT 氮化镓 宽禁带半导体
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王泉慧
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：高电子迁移率晶体管 HFET 场板 氮化镓 铝镓氮
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
杨立杰
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：MMIC 砷化镓 GAAS 可变衰减器 相移
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
周玉刚
供职机构：南京大学
研究主题：欧姆接触 GAN 氮化镓 LED器件 量子点
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叶禹康
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：GAAS 单片 砷化镓 微波集成电路 MESFET
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
曹春海
供职机构：南京大学
研究主题：隧道结 AL 超导 超导薄膜 NB
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
沈波
供职机构：北京大学
研究主题：氮化镓 GAN 氮化物 位错 成核
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
潘扬
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：GAAS MESFET S波段 单片集成电路 单片
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
郑有炓
供职机构：南京大学
研究主题：GAN 氮化镓 衬底 蓝宝石 MOCVD
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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