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潘扬

作品数:4 被引量:2H指数:1
供职机构:南京电子器件研究所更多>>
相关领域:电子电信更多>>

文献类型

  • 4篇中文期刊文章

领域

  • 4篇电子电信

主题

  • 2篇单片
  • 2篇单片集成
  • 2篇电路
  • 2篇集成电路
  • 2篇放大器
  • 2篇MESFET
  • 2篇GAAS
  • 1篇单片集成电路
  • 1篇增益
  • 1篇增益放大
  • 1篇增益放大器
  • 1篇灵敏度
  • 1篇敏度
  • 1篇可变增益
  • 1篇可变增益放大...
  • 1篇空气桥
  • 1篇固体电路
  • 1篇S波段
  • 1篇X波段
  • 1篇FET放大器

机构

  • 4篇南京电子器件...

作者

  • 4篇潘扬
  • 2篇叶禹康
  • 1篇伍祥冰
  • 1篇王柏年

传媒

  • 4篇固体电子学研...

年份

  • 2篇1993
  • 2篇1989
4 条 记 录,以下是 1-4
排序方式:
S波段GaAs单片可变增益放大器被引量:1
1993年
用分析方法获取具有4个端口的双栅FET适用S参数进行设计,用微波单片集成电路技术制成增益30dB,可控增益大于65dB,二栅开关时间小于5ns的S波段单片可变增益放大器,封装后的尺寸为17.5mm×20mm×5mm。
叶禹康茅经怀潘扬伍祥冰
关键词:增益放大器放大器单片集成电路
X波段单片集成空气桥源MESFET放大器
1989年
1983年日本的H.Itoh等首先将空气桥源MESFET应用于12GHz单片集成低噪声放大器,实现器件的单边接地。但是,由于器件采用叉指结构,无法采用斜蒸发工艺缩短栅长。1986年,南京电子器件研究所也研制成空气桥源MESFET。这种器件结构适合目前广泛采用的凹槽斜蒸栅工艺,有利于亚微米栅的制备,并已将该器件应用于X波段GaAs单片集成放大器电路。其测量性能见表Ⅰ。
茅经怀冯珅叶禹康瞿慰萱陈培坤王柏年潘扬陆小兵
关键词:X波段MESFET放大器
GaAs MESFET灵敏度分析被引量:1
1989年
本文叙述了灵敏度分析的重要意义。介绍了所用的MESFET模型与三个子程序DATA,MODEL,SPARAM及主程序SENSIT,并给出计算分析结果。结果表明,对MESFET芯片S参数影响最大的几个工艺变量、材料变量及基本物理参量,按灵敏度因子大小排列顺序为εγ,L_g,N_d,μ_o,A_s,A,L_(gs2),L_(gs3)。
潘扬
关键词:GAASMESFET灵敏度
北京第三届国际固体与集成电路会议
1993年
第三届国际固体与集成电路会议于1992年10月19日至22日在中国北京召开。大会受到了国际半导体界的广泛重视,共收到论文400多篇,录用224篇。论文作者来自中国、日本、韩国、印度、美国、荷兰、比利时、瑞士、德国、意大利、法国、瑞典、奥地利、英国、匈牙利、罗马尼亚、澳大利亚、波兰、乌克兰以及台湾、香港地区。
潘扬
关键词:固体电路集成电路
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