叶禹康
- 作品数：9 被引量：11H指数：2
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- X波段单片集成空气桥源MESFET放大器
- 1989年
- 1983年日本的H.Itoh等首先将空气桥源MESFET应用于12GHz单片集成低噪声放大器,实现器件的单边接地。但是,由于器件采用叉指结构,无法采用斜蒸发工艺缩短栅长。1986年,南京电子器件研究所也研制成空气桥源MESFET。这种器件结构适合目前广泛采用的凹槽斜蒸栅工艺,有利于亚微米栅的制备,并已将该器件应用于X波段GaAs单片集成放大器电路。其测量性能见表Ⅰ。
- 茅经怀冯珅叶禹康瞿慰萱陈培坤王柏年潘扬陆小兵
- 关键词：X波段MESFET放大器
- GaAs FET噪声系数和资用功率增益的测定
- 1989年
- 本文给出了可同时测量GaAs FET噪声系数和资用功率增益的改进方法,以及对有耗匹配网络设计和损耗的定量分析方法。文中介绍了用多种源阻抗确定最佳噪声参量的方法,实践证明上述技术具有重要的参考意义。
- 叶禹康
- 关键词：GAAS噪声系数功率FET
- S波段GaAs单片可变增益放大器被引量：1
- 1993年
- 用分析方法获取具有4个端口的双栅FET适用S参数进行设计,用微波单片集成电路技术制成增益30dB,可控增益大于65dB,二栅开关时间小于5ns的S波段单片可变增益放大器,封装后的尺寸为17.5mm×20mm×5mm。
- 叶禹康茅经怀潘扬伍祥冰
- 关键词：增益放大器放大器单片集成电路
- GaAs MMIC抗静电能力研究被引量：6
- 1999年
- 用人体静电放电模拟器对以ＧａＡｓ ＭＥＳＦＥＴ为主要有源器件的ＭＭＩＣ的静电敏感度进行研究，叙述了在ＭＭＩＣ设计、工艺制作等环节防静电和提高ＭＭＩＣ抗静电能力的措施，采用这些措施后，低噪声ＭＭＩＣ静电损伤阈值达到５００～８００ Ｖ。
- 叶禹康孙伟东俞土法金毓铨
- 关键词：砷化镓MMIC抗静电微波集成电路
- S波段GaAs单片可变增益放大器
- 1992年
- 微波单片集成电路(MMIC)是新一代微波产品。它把有源和无源元件,采用可批量生产的集成技术制作在同一GaAs衬底上完成一定微波功能,具有成本低、产量高、可靠性高、体积小、重量轻等突出的优点。南京电子器件研究所1991年研制的MMIC产品WD64型S波段GaAs单片可变增益放大器如图1所示。其芯片尺寸为4.5mm×1.6mm×0.15mm。
- 叶禹康茅经怀
- 关键词：放大器S波段单片可变增益
- 测量散射参数的交互换位双信号方法及其应用
- 1994年
- 叙述了外内向功率波复数比的测量方法，给出了散射参数测量的交互换位双信号测量线方法。用此方法测量了双栅ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ适用散射参数，并用它设计Ｓ波段混合集成双栅ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ可控增益放大器。测试结果与设计吻合。
- 叶禹康
- 关键词：散射参数双栅场效应晶体管GAAS
- L波段砷化镓单片低噪声放大器被引量：3
- 1995年
- 设计、研制了一种工作在Ｌ波段的ＧａＡｓ单片低噪声放大器。该放大器在ＨＰ－８５１０Ｂ网络分析仪和ＨＰ－８９７０Ｂ自动噪声仪上的测试结果为：１．１～１．５ＧＨＺ频段，ＮＦ≤２．０ｄＢ，Ｇ≥１８ｄＢ，ＶＳＷＲ（ｉｎ，ｏｕｔ）≤２：１，增益起伏≤０．５ｄＢ；在１．５～２．０ＧＨＺ频段ＮＦ≤２．５ｄＢ，Ｇ≥１８ｄＢ，ＶＳＷＲ（ｉｎ，ｏｕｔ）≤２：１，增益起伏≤±０．５ｄＢ。
- 伍祥冰叶禹康俞土法季晓明张薇张闻辉
- 关键词：L波段砷化镓单片低噪声放大器
- DC－40GHzMMIC开关被引量：1
- 1996年
- ＤＣ－４０ＧＨｚＭＭＩＣ开关叶禹康，俞土法，伍祥冰（南京电子器件研究所，２１００１６）提要＊用微波单片集成电路（ＭＭＩＣ）技术设计制作了高隔离度、超快速ＤＣ－４０ＧＨｚＭＭＩＣ开关（ＳＰＳＴ）。开关采用串联、并联单元ＭＥＳＦＥＴ兼用的电路结构。芯片尺...
- 叶禹康俞土法伍祥冰
- 关键词：MESFET微波集成电路
- C波段GaAs单片接收机前端
- 1994年
- Ｃ波段ＧａＡｓ单片接收机前端俞土法，叶禹康，张闻辉，彭龙新，李拂晓（南京电子器件研究所，２１００１６）１９９３年１１月１０日收到ＡＣ－ＢａｎｄＧａＡｓＭｏｎｏｌｉｔｈｉｃＲｅｃｅｉｖｅｒＦｒｏｎｔＥｎｄ￥ＹｕＴｕｆａ；ＹｅＹｕｋａｎｇ；ＺｈａｎｇＷｅ...
- 俞土法叶禹康张闻辉彭龙新李拂晓
- 关键词：C波段GAAS接收机前端
