王柏年
- 作品数：2 被引量：0H指数：0
- 供职机构：南京电子器件研究所更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- X波段单片集成空气桥源MESFET放大器
- 1989年
- 1983年日本的H.Itoh等首先将空气桥源MESFET应用于12GHz单片集成低噪声放大器,实现器件的单边接地。但是,由于器件采用叉指结构,无法采用斜蒸发工艺缩短栅长。1986年,南京电子器件研究所也研制成空气桥源MESFET。这种器件结构适合目前广泛采用的凹槽斜蒸栅工艺,有利于亚微米栅的制备,并已将该器件应用于X波段GaAs单片集成放大器电路。其测量性能见表Ⅰ。
- 茅经怀冯珅叶禹康瞿慰萱陈培坤王柏年潘扬陆小兵
- 关键词：X波段MESFET放大器
- AlGaN/GaN异质结构欧姆接触的研制
- 2004年
- 研究了 Ga N高温宽禁带半导体外延层上欧姆接触的制备工艺 ,讨论了几种测试方法的优缺点 ,并根据器件制作的工艺兼容性 ,在 n-Ga N样品上获得了 4× 1 0 - 6 Ω·cm2的欧姆接触 ,在 Al Ga N/Ga N异质结构样品上获得了 4× 1 0 - 4Ω· cm2 的欧姆接触。实验结果表明 ,Al Ga N/Ga N上低阻欧姆接触的制备及其工艺兼容性是Ga N
- 焦刚曹春海薛舫时杨立杰王泉慧王柏年金龙张卫红沈波周玉刚郑有炓
- 关键词：欧姆接触ALGAN/GANHFET
