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杨沛峰

作品数:2 被引量:12H指数:2
供职机构:电子科技大学更多>>
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领域

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地区

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8 条 记 录,以下是 1-8
李竞春
供职机构:电子科技大学
研究主题:SIGE MOS器件 CMOS 锗硅 沟道
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
何林
供职机构:中国电子科技集团第二十四研究所
研究主题:复合结构 开关电源技术 同步整流 数字控制 软开关
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
杨谟华
供职机构:电子科技大学光电信息学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室
研究主题:电流崩塌 表面态 CMOS SIGE GAN
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李开成
供职机构:信息产业部
研究主题:分子束外延 锗硅材料 超高速 发射极 自对准
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张静
供职机构:中国电子科技集团第二十四研究所
研究主题:SIGE_HBT 异质结双极晶体管 SIGE 半导体 分子束外延
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
谭开洲
供职机构:中国电子科技集团第二十四研究所
研究主题:半导体 深槽 VDMOS 半导体器件 导电类型
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
郑娥
供职机构:中国电子科技集团第二十四研究所
研究主题:MOS器件 SIO 锗化硅 栅介质薄膜 栅介质
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
谭开州
供职机构:中国电子科技集团第二十四研究所
研究主题:SI X射线双晶衍射 分子束外延 热稳定性研究 锗硅材料
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
共1页<1>
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