何林
- 作品数：6 被引量：54H指数：4
- 供职机构：中国电子科技集团第二十四研究所更多>>
- 发文基金：国家重点实验室开放基金国家教育部博士点基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>
- SiGe MOS器件SiO_2栅介质低温制备技术研究被引量：7
- 2001年
- 为了获得电学性能良好的 Si Ge PMOS Si O2 栅介质薄膜 ,采用等离子体增强化学汽相淀积 (PECVD)工艺 ,对低温 30 0°C下薄膜制备技术进行了研究。实验表明 ,采用适当高温、短时间对PECVD薄膜退火有助于降低薄膜中正电荷密度和界面态密度。该技术用于 Si Ge PMOS研制 ,在30 0 K常温和 77K低温下 ,其跨导分别达到 45m S/mm和 92 .5m S/mm(W/L=2 0 μm/2 μm)
- 李竞春杨沛峰杨谟华谭开洲何林郑娥
- 关键词：栅介质薄膜锗化硅MOS器件
- 半导体测试仪器故障诊断技术研究被引量：1
- 2014年
- 对半导体测试仪器故障诊断方法学和故障定位实用方法进行了初步研究。故障诊断是模式分类和识别结合维修经验的一种重复过程。在简述常用的诊断方法和故障定位技术基础上,用实例探讨了在半导体测试仪器维护实践中运用诊断理论的技巧。
- 何林蔡明理
- 关键词：故障诊断模式识别
- 多晶硅发射极双极晶体管的工艺设计及计算机模拟被引量：4
- 2002年
- 在简要分析多晶硅发射极双极晶体管特点的基础上 ,根据国内现有的双极工艺水平 ,设计了用于制备多晶硅发射极双极晶体管的工艺流程 ,并给出了一个最小尺寸晶体管的版图 ,最后对设计的多晶硅发射极晶体管的频率特性进行了模拟。
- 刘其贵吴金郑娥魏同立何林
- 关键词：多晶硅发射极双极晶体管计算机模拟
- Si_(1-x)Ge_x/Si应变材料的生长及热稳定性研究被引量：5
- 2002年
- 利用分子束外延 ( MBE)技术生长了 Ge组份为 0 .1～ 0 .46的 Si1-x Gex 外延层。X射线衍射测试表明 ,Si Ge/Si异质结材料具有良好的结晶质量和陡峭界面 ,其它参数也可准确控制。通过 X射线双晶衍射摇摆曲线方法 ,研究了经 70 0°C、80 0°C和 90 0°C退火后应变 Si Ge/Si异质结材料的热稳定性。结果表明 ,随着退火温度的提高 ,应变层垂直应变逐渐减小 ,并发生了应变驰豫 ,导致晶体质量退化 ;且 Ge组分越小 ,Si1-x Gex 应变结构的热稳定性越好 ;
- 李竞春杨沛峰杨谟华何林李开成谭开州张静
- 关键词：热稳定性分子束外延X射线双晶衍射锗硅材料
- 一种低压低功耗CMOS ULSI运算放大器单元被引量：10
- 2003年
- 基于新型的折叠电流镜负载PMOS差分输入级拓扑、轨至轨(Rail-to-Rail)AB类低压CMOS推挽输出级模型、低压低功耗LV/LP技术和Cadence平台的实验设计与模拟仿真,采用2μmP阱硅栅CMOS标准工艺,得到了一种具有VT=±0.7V、电源电压1.1～1.5V、静态功耗典型值330μW、75dB开环增益和945kHz单位增益带宽的LV/LP运算放大器。该器件可应用于ULSI库单元及其相关技术领域,其实践有助于CMOS低压低功耗集成电路技术的进一步发展。
- 王向展于奇李竞春宁宁杨谟华刘玉奎谭开洲何林严顺炳
- 关键词：低压低功耗CMOSULSI运算放大器集成电路
- 开关电源技术发展综述被引量：27
- 2016年
- 随着电力电子技术的迅速发展,高频开关电源已被广泛应用于计算机、通信、工业自动化和航天航空等领域。从硬开关技术、软开关技术、同步整流技术、数字控制技术、复合结构技术等开关电源的五个技术发展阶段,对高频开关电源技术的发展路径进行了阐述,总结了各种技术的特点,并展望了开关电源技术的发展方向。
- 张纯亚何林章治国
- 关键词：开关电源硬开关软开关同步整流数字控制复合结构
