杨沛峰
- 作品数：2 被引量：12H指数：2
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- Si_(1-x)Ge_x/Si应变材料的生长及热稳定性研究被引量：5
- 2002年
- 利用分子束外延 ( MBE)技术生长了 Ge组份为 0 .1～ 0 .46的 Si1-x Gex 外延层。X射线衍射测试表明 ,Si Ge/Si异质结材料具有良好的结晶质量和陡峭界面 ,其它参数也可准确控制。通过 X射线双晶衍射摇摆曲线方法 ,研究了经 70 0°C、80 0°C和 90 0°C退火后应变 Si Ge/Si异质结材料的热稳定性。结果表明 ,随着退火温度的提高 ,应变层垂直应变逐渐减小 ,并发生了应变驰豫 ,导致晶体质量退化 ;且 Ge组分越小 ,Si1-x Gex 应变结构的热稳定性越好 ;
- 李竞春杨沛峰杨谟华何林李开成谭开州张静
- 关键词：热稳定性分子束外延X射线双晶衍射锗硅材料
- SiGe MOS器件SiO_2栅介质低温制备技术研究被引量：7
- 2001年
- 为了获得电学性能良好的 Si Ge PMOS Si O2 栅介质薄膜 ,采用等离子体增强化学汽相淀积 (PECVD)工艺 ,对低温 30 0°C下薄膜制备技术进行了研究。实验表明 ,采用适当高温、短时间对PECVD薄膜退火有助于降低薄膜中正电荷密度和界面态密度。该技术用于 Si Ge PMOS研制 ,在30 0 K常温和 77K低温下 ,其跨导分别达到 45m S/mm和 92 .5m S/mm(W/L=2 0 μm/2 μm)
- 李竞春杨沛峰杨谟华谭开洲何林郑娥
- 关键词：栅介质薄膜锗化硅MOS器件
