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胡永贵

作品数：54 被引量：60H指数：4
供职机构：中国电子科技集团第二十四研究所更多>>
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地区

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谭开洲
供职机构：中国电子科技集团第二十四研究所
研究主题：半导体 深槽 VDMOS SIGE 半导体器件
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘勇
供职机构：电子科技大学
研究主题：W波段 深槽 氮化镓 半导体 毫米波
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王敬
供职机构：中国电子科技集团第二十四研究所
研究主题：抑制比 NMOS 硅栅 基准电压源 线性电源
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
唐昭焕
供职机构：中国电子科技集团第二十四研究所
研究主题：半导体 深槽 功率VDMOS器件 功率MOSFET器件 导电类型
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
徐世六
供职机构：中国电子科技集团第二十四研究所
研究主题：比较器 逐次逼近型模数转换器 采样开关 逐次逼近型 SAR_ADC
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
许云
供职机构：中国电子科技集团第二十四研究所
研究主题：模拟集成电路 抑制比 NMOS 硅栅 基准电压源
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张正璠
供职机构：中国电子科技集团第二十四研究所
研究主题：A/D转换器 CMOS 电路 集成电路 硅栅
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
胡云斌
供职机构：重庆邮电大学光电工程学院
研究主题：电源抑制比 带隙基准源 基准电压源 PSRR 温度系数
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
孙毛毛
供职机构：中国电子科技集团第二十四研究所
研究主题：低压差线性稳压器 产生电路 补偿电路 压差 反馈网络
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘文韬
供职机构：中国电子科技集团第二十四研究所
研究主题：电路 产生电路 偏置电路 输出电压 浪涌电流
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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