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王长河

作品数：5 被引量：5H指数：1
供职机构：河北半导体研究所更多>>
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领域

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机构

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地区

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  • 1个甘肃省
共 10 条 记 录，以下是 1-10
李继国
供职机构：河北半导体研究所
研究主题：GAAS器件 EMP 毁伤 中子辐照 电磁脉冲
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李用兵
供职机构：中国电子科技集团第十三研究所
研究主题：电磁脉冲 GAAS 场效应晶体管 FET EMP
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
何大伟
供职机构：河北半导体研究所
研究主题：GAAS器件 EMP 毁伤 电磁脉冲 砷化镓器件
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
程开甲
供职机构：南京大学物理学院物理学系
研究主题：硅 中子辐照 少子寿命 少数载流子寿命 标量粒子
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
朱旗
供职机构：电子科技大学微电子与固体电子学院微电子科学与工程系
研究主题：晶体管 砷化镓 场效应晶体管 GAAS/ALGAAS 高电子迁移率晶体管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李思渊
供职机构：兰州大学物理科学与技术学院微电子学研究所
研究主题：静电感应器件 静电感应晶体管 静电感应晶闸管 SITH SIT
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
吴凤美
供职机构：南京大学物理学院物理学系
研究主题：辐照 硅 砷化镓 中子辐照 SI-GAAS
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
施毅
供职机构：南京大学电子科学与工程学院
研究主题：肺炎衣原体 GAN 哮喘 呼吸道感染 肺炎衣原体感染
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
梁春广
供职机构：中国电子科技集团第十三研究所
研究主题：微机械 光开关 砷化镓 GAAS 分子束外延
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘英坤
供职机构：中国电子科技集团第十三研究所
研究主题：场效应晶体管 CW VDMOSFET GATE_DIELECTRIC SITH
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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