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李继国

作品数：3 被引量：0H指数：0
供职机构：河北半导体研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇会议论文
  • 1篇期刊文章

领域

  • 3篇电子电信

主题

  • 2篇EMP
  • 2篇GAAS器件
  • 1篇电磁
  • 1篇电磁脉冲
  • 1篇砷化镓
  • 1篇砷化镓器件
  • 1篇双极晶体管
  • 1篇中子
  • 1篇中子辐照
  • 1篇晶体管
  • 1篇毁伤

机构

  • 3篇河北半导体研...

作者

  • 3篇李继国
  • 2篇李用兵
  • 2篇王长河
  • 2篇何大伟

传媒

  • 1篇微电子学与计...
  • 1篇2005第十...
  • 1篇第十一届全国...

年份

  • 2篇2005
  • 1篇1989
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
EMP对GaAs器件毁伤作用机理研究
介绍了GaAs器件在EMP情况下的毁伤阈值和毁伤机理,并用实验验证器件软损伤的可靠性。
李用兵王长河李继国何大伟
关键词：EMP毁伤
文献传递
双极晶体管中子辐照测量分析
1989年
本文讨论了双极晶体管在瞬时中子辐照时测试条件变化对测试电流增益h_(FE)的影响,并利用稳态中子源上的测试结果对其进行评估。
李继国
关键词：双极晶体管中子辐照
EMP对GaAs器件毁伤作用机理研究
本文研究了EMP对GaAs器件毁伤作用的机理,介绍了GaAs器件在EMP情况下的毁伤阈值和毁伤机理,并用实验验证器件软损伤的可靠性.
李用兵王长河李继国何大伟
关键词：砷化镓器件电磁脉冲
文献传递
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共1页<1>
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