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何大伟

作品数：2 被引量：0H指数：0
供职机构：河北半导体研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇国内会议论文

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 2篇EMP
  • 2篇GAAS器件
  • 1篇电磁
  • 1篇电磁脉冲
  • 1篇砷化镓
  • 1篇砷化镓器件
  • 1篇毁伤

机构

  • 2篇河北半导体研...

作者

  • 2篇李用兵
  • 2篇李继国
  • 2篇王长河
  • 2篇何大伟

传媒

  • 1篇2005第十...
  • 1篇第十一届全国...

年份

  • 2篇2005
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
EMP对GaAs器件毁伤作用机理研究
介绍了GaAs器件在EMP情况下的毁伤阈值和毁伤机理,并用实验验证器件软损伤的可靠性。
李用兵王长河李继国何大伟
关键词：EMP毁伤
文献传递
EMP对GaAs器件毁伤作用机理研究
本文研究了EMP对GaAs器件毁伤作用的机理,介绍了GaAs器件在EMP情况下的毁伤阈值和毁伤机理,并用实验验证器件软损伤的可靠性.
李用兵王长河李继国何大伟
关键词：砷化镓器件电磁脉冲
文献传递
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共1页<1>
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