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应贤炜
作品数:
5
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H指数:3
供职机构:
南京电子器件研究所
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发文基金:
国家自然科学基金
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合作作者
王佃利
南京电子器件研究所
刘洪军
南京电子器件研究所
严德圣
南京电子器件研究所
梅海
南京电子器件研究所
李相光
南京电子器件研究所
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王佃利
供职机构:南京电子器件研究所
研究主题:硅 微波功率晶体管 LDMOS 硅脉冲功率晶体管 功率晶体管
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刘洪军
供职机构:南京电子器件研究所
研究主题:硅 LDMOS 金属-氧化物-半导体 脉冲 L波段
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严德圣
供职机构:南京电子器件研究所
研究主题:硅 LDMOS 脉冲 L波段 金属-氧化物-半导体
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梅海
供职机构:南京电子器件研究所
研究主题:LDMOS 硅 微波功率晶体管 千瓦级 大功率晶体管
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丁晓明
供职机构:南京电子器件研究所
研究主题:硅 功率管 大功率管 微波脉冲 脉冲
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李相光
供职机构:南京电子器件研究所
研究主题:硅 硅脉冲功率晶体管 双极晶体管 功率晶体管 LDMOS
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杨立杰
供职机构:南京电子器件研究所
研究主题:MMIC 砷化镓 GAAS 可变衰减器 相移
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蒋幼泉
供职机构:中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题:砷化镓 GAAS SIC_MESFET 单片 微波单片集成电路
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王建浩
供职机构:南京电子器件研究所
研究主题:功率管 L波段 GAN P波段 长脉宽
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吕勇
供职机构:南京电子器件研究所
研究主题:硅 LDMOS 微波脉冲 功率 射频功率器件
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