王佃利
- 作品数：24 被引量：44H指数：5
- 供职机构：南京电子器件研究所更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术电气工程化学工程更多>>
- 2.2～2.4 GHz 110W硅脉冲功率晶体管
- 2003年
- 傅义珠李学坤戴学梅王佃利王因生周德红康小虎梅海盛国兴陈刚
- 关键词：硅脉冲功率晶体管微波功率晶体管
- S波段200 W硅LDMOS功率管研制被引量：1
- 2019年
- 研制了具有高频高增益特性的硅LDMOS芯片,采用0.35μm精细栅实现高频率性能,CoSi2/PolySi栅工艺技术降低电阻,Ti/W金属场板优化漂移区电场分布降低反馈电容,并采用等平面工艺技术提高芯片一致性。采取参数仿真优化内匹配设计,并通过多个LDMOS芯片合成实现大功率输出。最终实现的S波段大功率硅LDMOS器件性能为:在32 V工作电压,3.1~3.5 GHz频带内,300μs脉宽,15%占空比的工作条件下,输出功率大于200 W,增益大于9 dB,效率大于42%。
- 刘洪军赵杨杨鞠久贵杨兴王佃利杨勇
- 关键词：S波段功率管
- S波段100W硅脉冲功率晶体管被引量：2
- 2000年
- 报道了一种高增益高效率 S波段硅脉冲功率晶体管的研制结果。该器件在 f=2 .4～ 2 .6GHz,D=1 0 % ,τp=1 0 0 μs,Vc=36V条件下输出功率 1 0 0 W、增益 9d B、效率 50 %。在 f=2 .6GHz短脉宽条件下输出功率 1 60 W、增益 8.0 d B、效率 60 %。
- 傅义珠李相光张树丹王佃利王因生康小虎姚长军
- 关键词：硅微波功率晶体管S波段
- SF_6和CHF_3混合气体各向异性刻蚀WN研究
- 2014年
- 提出了在SF6/CHF3等离子中反应离子刻蚀WN金属层的方法,通过对各工艺参数(功率、压力、流量配比等)对WN刻蚀钻蚀量影响的研究,优化了工艺参数,获得了易于控制的侧向钻蚀量小于0.1μm的WN各向异性刻蚀条件,使BVEBO成品率由85%提高到95%,从而提升了芯片生产成品率。
- 庸安明王佃利蒋幼泉
- 关键词：六氟化硫反应离子刻蚀各向异性
- Si腐蚀工艺的优化
- 2014年
- 腐蚀Si时工艺顺序不同,得到的Si片表面状态也不同,导致器件的反向泄漏电流不同。通过工艺试验研究,获得了优化的腐蚀Si工艺条件,得到了平整的Si表面,从而提高了器件的可靠性与生产的成品率。
- 吕勇王佃利盛国兴蒋幼泉
- 关键词：硅
- P波段450W硅LDMOS脉冲功率器件的研制被引量：11
- 2011年
- 报道了P波段450 W硅LDMOS器件的研制结果。所研制器件采用沟槽技术实现背面源结构,采用场板技术提高击穿电压并降低栅漏电容,采用多晶硅金属硅化物结构降低栅阻。研制结果表明,在漏源工作电压36 V,脉宽20 ms,占空比35.7%的测试条件下,485～606 MHz全带内输出功率达到450 W,增益大于18 dB,效率大于60%。
- 王佃利李相光严德圣丁小明刘洪军钱伟蒋幼泉王因生
- 关键词：硅脉冲场板
- 微波脉冲功率器件瞬态热阻测试研究被引量：13
- 2012年
- 介绍了功率器件装配过程中控制芯片烧结工艺参数的重要性,用显微红外热像仪测试了器件烧结工艺参数优化前后的微波瞬态热像,由热像测试数据计算出器件的热阻,并对器件的热阻值进行了比较,结果表明,通过烧结工艺参数优化,可以将器件热阻降低约20%。
- 丁晓明王佃利李相光蒋幼泉王因生黄静
- 关键词：脉冲结温热阻
- 硅微波LDMOS功率器件的研制
- 提出了通过ICP槽侧壁扩散和填充多晶硅注入推进相结合实现源与衬底连接的LDMOS器件结构,并利用该结构进行了LDMOS器件研制,获得了初步研制结果.
- 王佃利李相光刘洪军蔡俊傅义珠盛国兴王因生
- 关键词：多晶硅
- 文献传递
- 1．46～1．66GHz 250W宽带硅微波脉冲大功率管被引量：6
- 2008年
- 报道了L波段高端中脉冲250W宽带硅微波脉冲大功率晶体管研制结果．该器件采用微波功率管环台面集电极结终端结构、非线性镇流电阻等新工艺技术，器件在1．46～1．66GHz频带内，脉宽200μs，占空比10％和40V工作电压下，全带内脉冲输出功率大于250W，功率增益大于7．0dB，效率大于45％．
- 王因生李相光傅义珠王佃利丁晓明盛国兴康小虎
- 关键词：硅微波功率管
- P波段脉冲输出150W高增益功率晶体管被引量：1
- 1998年
- 采用微波功率管二次发射极镇流和掺砷多晶硅发射极覆盖树枝状结构等新工艺技术，研制出用于工程的实用化P波段脉冲大功率晶体管。该器件由16个单胞内匹配而成，在该频带内，脉宽500μs，占空比15％，脉冲输出150W，增益大于10dB，集电极效率大于50％。
- 王因生单宁王佃利林川张树丹康小虎林金庭
- 关键词：多晶硅发射极微波功率晶体管
