盛国兴
- 作品数：12 被引量：19H指数：3
- 供职机构：南京电子器件研究所更多>>
- 相关领域：电子电信电气工程更多>>
- 2.2～2.4 GHz 110W硅脉冲功率晶体管
- 2003年
- 傅义珠李学坤戴学梅王佃利王因生周德红康小虎梅海盛国兴陈刚
- 关键词：硅脉冲功率晶体管微波功率晶体管
- 2.7-3.4GHz超宽带长脉宽硅功率晶体管被引量：1
- 2006年
- 吴鹏林川傅义珠盛国兴戴学梅康小虎王因生
- 关键词：硅脉冲功率晶体管长脉宽超宽带功率增益大功率管S波段
- 1．46～1．66GHz 250W宽带硅微波脉冲大功率管被引量：6
- 2008年
- 报道了L波段高端中脉冲250W宽带硅微波脉冲大功率晶体管研制结果．该器件采用微波功率管环台面集电极结终端结构、非线性镇流电阻等新工艺技术，器件在1．46～1．66GHz频带内，脉宽200μs，占空比10％和40V工作电压下，全带内脉冲输出功率大于250W，功率增益大于7．0dB，效率大于45％．
- 王因生李相光傅义珠王佃利丁晓明盛国兴康小虎
- 关键词：硅微波功率管
- 硅LDMOS射频功率器件的发展历程与趋势被引量：8
- 2011年
- 从芯片结构的变化以及可靠性的提升角度简述了LDMOS射频功率器件的发展历程及趋势,给出了LD-MOS的最新研制结果。现在LDMOS射频功率器件在向高工作电压、高输出功率、高可靠以及脉冲应用等方向发展。
- 王佃利刘洪军吕勇严德圣盛国兴王因生蒋幼泉
- 关键词：硅射频功率
- 微波硅功率双极型管脉冲顶降和增益压缩特性分析
- 2011年
- 对影响微波硅功率双极型晶体管脉冲波形顶降、顶升和增益压缩特性的器件设计、工艺和使用因素进行了分析。脉冲顶降的本质原因是结温上升,结温又同芯片特性、内匹配电路与芯片键合一致性密切相关;脉冲顶降还与器件在电路中的工作状态相关。脉冲顶升主要是与肖特基势垒接触和较低的器件工作温度有关;影响增益压缩的主要原因是电流饱和与电压饱和,其次还与基区宽变效应、大注入效应和工作状态等因素相关。从器件设计、工艺和电路应用等方面提出了改进器件脉冲顶降和增益压缩特性的途径。
- 傅义珠盛国兴
- 关键词：微波增益压缩
- 1．44～1．68GHz 220W硅微波脉冲功率晶体管被引量：1
- 2006年
- 王因生李相光傅义珠丁晓明王佃利盛国兴康小虎陶有迁
- 关键词：脉冲功率晶体管硅功率芯片功率增益占空比
- 3．1～3．4GHz 120W硅脉冲功率晶体管被引量：1
- 2006年
- 傅义珠李相光戴学梅盛国兴王因生王佃利
- 关键词：硅脉冲功率晶体管微波功率器件功率方向多系统机动化高可靠
- Si腐蚀工艺的优化
- 2014年
- 腐蚀Si时工艺顺序不同,得到的Si片表面状态也不同,导致器件的反向泄漏电流不同。通过工艺试验研究,获得了优化的腐蚀Si工艺条件,得到了平整的Si表面,从而提高了器件的可靠性与生产的成品率。
- 吕勇王佃利盛国兴蒋幼泉
- 关键词：硅
- 硅微波LDMOS功率器件的研制
- 提出了通过ICP槽侧壁扩散和填充多晶硅注入推进相结合实现源与衬底连接的LDMOS器件结构,并利用该结构进行了LDMOS器件研制,获得了初步研制结果.
- 王佃利李相光刘洪军蔡俊傅义珠盛国兴王因生
- 关键词：多晶硅
- 文献传递
- 1.2～1.4GHz 300W宽带硅微波脉冲大功率管被引量：1
- 2012年
- 介绍了L波段宽带硅微波脉冲300W大功率晶体管研制结果。该器件采用微波功率管环台面集电极结终端结构、非线性镇流电阻和热稳定等新工艺技术,在1.2～1.4GHz频带内,脉宽150μs,占空比10%和40V工作电压下,全带内脉冲输出功率大于300W,功率增益大于8.75dB,效率大于55%。
- 王因生丁晓明蒋幼泉傅义珠王佃利王志楠盛国兴严德圣
- 关键词：硅功率管镇流电阻
