傅义珠
- 作品数：22 被引量：36H指数：4
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- 相关领域：电子电信电气工程更多>>
- 2.2～2.4 GHz 110W硅脉冲功率晶体管
- 2003年
- 傅义珠李学坤戴学梅王佃利王因生周德红康小虎梅海盛国兴陈刚
- 关键词：硅脉冲功率晶体管微波功率晶体管
- 1．46～1．66GHz 250W宽带硅微波脉冲大功率管被引量：6
- 2008年
- 报道了L波段高端中脉冲250W宽带硅微波脉冲大功率晶体管研制结果．该器件采用微波功率管环台面集电极结终端结构、非线性镇流电阻等新工艺技术，器件在1．46～1．66GHz频带内，脉宽200μs，占空比10％和40V工作电压下，全带内脉冲输出功率大于250W，功率增益大于7．0dB，效率大于45％．
- 王因生李相光傅义珠王佃利丁晓明盛国兴康小虎
- 关键词：硅微波功率管
- 4.4～4.8GHz 15W硅脉冲功率晶体管
- 2007年
- 赵普社王因生李相光傅义珠
- 关键词：微波功率晶体管输出功率发射极脉冲管
- 1．44～1．68GHz 220W硅微波脉冲功率晶体管被引量：1
- 2006年
- 王因生李相光傅义珠丁晓明王佃利盛国兴康小虎陶有迁
- 关键词：脉冲功率晶体管硅功率芯片功率增益占空比
- 3．1～3．4GHz 120W硅脉冲功率晶体管被引量：1
- 2006年
- 傅义珠李相光戴学梅盛国兴王因生王佃利
- 关键词：硅脉冲功率晶体管微波功率器件功率方向多系统机动化高可靠
- S波段100W硅脉冲功率晶体管被引量：2
- 2000年
- 报道了一种高增益高效率 S波段硅脉冲功率晶体管的研制结果。该器件在 f=2 .4～ 2 .6GHz,D=1 0 % ,τp=1 0 0 μs,Vc=36V条件下输出功率 1 0 0 W、增益 9d B、效率 50 %。在 f=2 .6GHz短脉宽条件下输出功率 1 60 W、增益 8.0 d B、效率 60 %。
- 傅义珠李相光张树丹王佃利王因生康小虎姚长军
- 关键词：硅微波功率晶体管S波段
- 军用电子元器件技术状态管理探讨被引量：4
- 2012年
- 随着GJB 9001的换版,军工单位都应开展技术状态管理工作。本文分析了军用电子元器件技术状态管理的现状和技术状态管理的本质,对如何开展军用电子元器件技术状态管理进行了探讨,并提出了当前应关注的问题。
- 刘杰傅义珠
- 关键词：军用电子元器件技术状态管理基线
- 硅微波LDMOS功率器件的研制
- 提出了通过ICP槽侧壁扩散和填充多晶硅注入推进相结合实现源与衬底连接的LDMOS器件结构,并利用该结构进行了LDMOS器件研制,获得了初步研制结果.
- 王佃利李相光刘洪军蔡俊傅义珠盛国兴王因生
- 关键词：多晶硅
- 文献传递
- 对功率器件击穿电压的模拟优化被引量：1
- 2007年
- 文章分析了微波功率器件的特点及其对器件击穿电压的影响,并在此基础上通过采用扩散保护环和耗尽区腐蚀两种方法来提高器件的击穿电压。文中对两种方法的相关参数进行了模拟优化,最终在浓度和厚度分别为9×1015cm-3和3μm的外延材料上制作出击穿电压为55V的C波段20W功率器件。
- 赵普社王因生傅义珠
- 关键词：硅功率器件击穿电压
- 微波硅功率双极型管脉冲顶降和增益压缩特性分析
- 2011年
- 对影响微波硅功率双极型晶体管脉冲波形顶降、顶升和增益压缩特性的器件设计、工艺和使用因素进行了分析。脉冲顶降的本质原因是结温上升,结温又同芯片特性、内匹配电路与芯片键合一致性密切相关;脉冲顶降还与器件在电路中的工作状态相关。脉冲顶升主要是与肖特基势垒接触和较低的器件工作温度有关;影响增益压缩的主要原因是电流饱和与电压饱和,其次还与基区宽变效应、大注入效应和工作状态等因素相关。从器件设计、工艺和电路应用等方面提出了改进器件脉冲顶降和增益压缩特性的途径。
- 傅义珠盛国兴
- 关键词：微波增益压缩
