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魏同波

作品数：135 被引量：189H指数：7
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
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王军喜
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：氮化镓 发光二极管 衬底 氮化物 多量子阱
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李晋闽
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：氮化镓 发光二极管 衬底 多量子阱 成核
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
闫建昌
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：紫外发光二极管 发光二极管 电子阻挡层 ALGAN 氮化物
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
曾一平
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：分子束外延 衬底 碳化硅 氮化镓 缓冲层
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
段瑞飞
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：氢化物气相外延 衬底 厚膜 氮化物 GAN
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘喆
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：氮化镓 GAN 发光二极管 多量子阱 衬底
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
魏学成
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：单晶生长 ZNO单晶 大尺寸 氮化镓 ZNO
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
吴奎
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：发光二极管 二氧化硅 蓝宝石 刻蚀 纳米
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
马平
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：氮化镓 发光二极管 电子阻挡层 成核 氢化物气相外延
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
姬小利
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：分布布拉格反射镜 氮化镓 ALGAN GAN 发光器件
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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