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詹琰

作品数：11 被引量：9H指数：2
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
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相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>

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领域

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主题

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机构

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资助

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地区

  • 11个上海市
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共 15 条 记 录，以下是 1-10
夏冠群
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题：砷化镓 GAAS MESFET 离子注入 红外探测器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
朱朝嵩
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题：MESFET 砷化镓 阈值电压 均匀性 阈值电压均匀性
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
赵建龙
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题：微流控芯片 芯片 微管道 基因芯片 液滴
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李传海
供职机构：中国科学院上海冶金研究所上海微系统与信息技术研究所
研究主题：阈值电压 砷化镓 MESFET 自动测试系统 GAAS单晶
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王永生
供职机构：中国科学院上海冶金研究所上海微系统与信息技术研究所
研究主题：GAAS MESFET 超高速 DECISION 5GB/S
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
范恒
供职机构：中国科学院上海冶金研究所上海微系统与信息技术研究所
研究主题：砷化镓 单电源 GAAS 接口电路 非接触式IC卡
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
吴剑萍
供职机构：中国科学院上海冶金研究所上海微系统与信息技术研究所
研究主题：砷化镓 阈值电压均匀性 MESFET TH 背栅效应
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘汝萍
供职机构：中国科学院上海冶金研究所上海微系统与信息技术研究所
研究主题：砷化镓 MESFET 阈值电压均匀性 背栅效应 GAAS
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
赵福川
供职机构：东南大学国家专用集成电路系统工程技术研究中心
研究主题：砷化镓 MESFET 旁栅效应 沟道电流 阈值电压
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈新宇
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：砷化镓 GAAS 开关 GAAS_MMIC 微波单片集成电路
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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