朱朝嵩
- 作品数：7 被引量：0H指数：0
- 供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>
- SI GaAs阈值电压均匀性与PL mapping均匀性的关系研究
- 探讨了SI GaAs单晶片的PL mapping均匀性与阈值电压均匀性的关系.初步认为,单晶片的PL mapping均匀性可以综合反映材料参数的均匀性,可以反映整个圆片的阈值电压均匀性.PL mapping测试技术是Ga...
- 朱朝嵩张有涛夏冠群惠峰
- 关键词：PLMAPPING阈值电压均匀性参数测试
- 光照对阈值电压均匀性的影响
- 2002年
- 研究了光照对砷化镓阈值电压均匀性的影响 .结果表明光照使耗尽型 MESFET器件的沟道电流增大 ,使阈值电压向负方向增加 ,并提高了阈值电压的均匀性 .研究认为砷化镓单晶材料的深能级缺陷是影响 MESFET阈值电压均匀性的重要因素之一 。
- 朱朝嵩夏冠群李传海詹琰
- 关键词：砷化镓MESFET阈值电压光照均匀性
- MESFET的源漏电压和旁栅间距对旁栅阈值电压的影响
- 2000年
- 研究了MESFET的源漏电压对旁栅阈值电压的影响和旁栅间距与旁栅阈值电压的关系。结果表明源漏电压的大小对旁栅阈值电压有一定的影响，旁栅阈值电压的大小与旁栅间距大致成正比。
- 詹琰夏冠群赵福川李传海朱朝嵩
- 关键词：砷化镓MESFET
- 砷化镓阈值电压自动测试系统的研制
- 2001年
- 介绍了砷化镓阈值电压的测试原理和测试方法,并完成了Φ3砷化镓阈值电压自动测试系统的设计与研制。该系统包括自动探针台、测量设备和相应的软件。自动探针台的定位精度为10μm,分辨率为2.4μm,速度为251mm/s。阈值电压测量精度为1mV。该系统可进行Φ3砷化镓圆片的MESFET器件参数的自动测量、存储和运算,能给出圆片的阈值电压分布图。该系统还可用于大圆片的电阻率、欧姆接触电阻、背栅电压和光敏特性等的测量。
- 朱朝嵩夏冠群李传海詹琰
- 关键词：阈值电压均匀性砷化镓自动测试系统
- 2.5Gb/s Ga As MESFET定时判决电路(英文)
- 2001年
- 设计了 2 .5 Gb/ s光纤通信用耗尽型 Ga As MESFET定时判决电路 .通过 SPICE模拟表明恢复的时钟频率达2 .5 GHz,判决电路传输速率达 2 .5 Gb/ s.实验证明经时钟信号抽样后判决电路可产生正确的数字信号 ,传输速率达 2 .5 Gb/
- 詹琰夏冠群王永生赵建龙朱朝嵩
- 关键词：MESFET砷化镓场效应晶体管
- GaAs阈值电压均匀性与测试系统的研究
- 该文概括了GaAs集成电路的发展,简要介绍了GaAs材料与器件.该文讨论了GaAs MESFET的器件模型,由二区间模型导出了I<,DS>与V<,GS>和V<,DS>的关系.这种物理模型能够清晰他说明器件的工作原理,但计...
- 朱朝嵩
- 关键词：GAASMESFET阈值电压均匀性旁栅效应
- 文献传递
- MESFET的源漏电压和旁栅间距对旁栅阈值电压的影响
- 研究了MESFET的源漏电压对旁栅阈值电压的影响和旁栅间距与旁栅阈值电压的关系。结果表明源漏电压的大小对旁栅阈值电压有一定的影响，旁栅阈值电压的大小与旁栅间距大致成正比。
- 詹琰夏冠群赵福川李传海朱朝嵩
- 关键词：砷化镓旁栅效应
- 文献传递
