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李传海

作品数：4 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院上海冶金研究所上海微系统与信息技术研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 4篇电子电信
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 4篇砷化镓
  • 4篇阈值电压
  • 2篇自动测试系统
  • 2篇MESFET
  • 2篇测试系统
  • 1篇单晶
  • 1篇电路
  • 1篇旁栅效应
  • 1篇均匀性
  • 1篇集成电路
  • 1篇GAAS单晶

机构

  • 3篇中国科学院上...
  • 1篇合肥工业大学
  • 1篇中国科学院

作者

  • 4篇李传海
  • 3篇朱朝嵩
  • 3篇夏冠群
  • 3篇詹琰
  • 2篇赵福川
  • 1篇朱敏
  • 1篇胡志高

传媒

  • 2篇功能材料与器...
  • 1篇半导体技术
  • 1篇全国化合物半...

年份

  • 2篇2001
  • 2篇2000
共 4 条 记 录，以下是 1-4
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排序方式：
MESFET的源漏电压和旁栅间距对旁栅阈值电压的影响
研究了MESFET的源漏电压对旁栅阈值电压的影响和旁栅间距与旁栅阈值电压的关系。结果表明源漏电压的大小对旁栅阈值电压有一定的影响，旁栅阈值电压的大小与旁栅间距大致成正比。
詹琰夏冠群赵福川李传海朱朝嵩
关键词：砷化镓旁栅效应
文献传递
GaAs单晶阈值电压自动测试系统的研究
2001年
根据ＧａＡｓ阈值电压的测试原理，选取了一种比较精确的实验测试计算方法。在此基础上，分别设计了ＧａＡｓ 单晶阈值电压均匀件自动测试系统的硬件电路和软件程序，并利用此系统对ＧａＡｓ样品进行了实际测量，效果良好。
胡志高朱敏李传海
关键词：阈值电压自动测试系统集成电路砷化镓
MESFET的源漏电压和旁栅间距对旁栅阈值电压的影响
2000年
研究了MESFET的源漏电压对旁栅阈值电压的影响和旁栅间距与旁栅阈值电压的关系。结果表明源漏电压的大小对旁栅阈值电压有一定的影响，旁栅阈值电压的大小与旁栅间距大致成正比。
詹琰夏冠群赵福川李传海朱朝嵩
关键词：砷化镓MESFET
砷化镓阈值电压自动测试系统的研制
2001年
介绍了砷化镓阈值电压的测试原理和测试方法,并完成了Φ3砷化镓阈值电压自动测试系统的设计与研制。该系统包括自动探针台、测量设备和相应的软件。自动探针台的定位精度为10μm,分辨率为2.4μm,速度为251mm/s。阈值电压测量精度为1mV。该系统可进行Φ3砷化镓圆片的MESFET器件参数的自动测量、存储和运算,能给出圆片的阈值电压分布图。该系统还可用于大圆片的电阻率、欧姆接触电阻、背栅电压和光敏特性等的测量。
朱朝嵩夏冠群李传海詹琰
关键词：阈值电压均匀性砷化镓自动测试系统
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