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章军云

作品数:12 被引量:33H指数:3
供职机构:南京电子器件研究所更多>>
相关领域:电子电信化学工程更多>>

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14 条 记 录,以下是 1-10
陈堂胜
供职机构:中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题:高电子迁移率晶体管 氮化镓 砷化镓 GAN ALGAN/GAN_HEMT
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
林罡
供职机构:南京电子器件研究所
研究主题:砷化镓 GAAS 微光 太赫兹 GAN
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
黄念宁
供职机构:南京电子器件研究所
研究主题:砷化镓 PHEMT GAAS 孤子解 低噪声放大器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
任春江
供职机构:南京电子器件研究所
研究主题:高电子迁移率晶体管 氮化镓 ALGAN/GAN_HEMT ALGAN/GAN GAN
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
彭龙新
供职机构:南京电子器件研究所
研究主题:微波单片集成电路 低噪声放大器 单片 GAAS 单片低噪声放大器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
高建峰
供职机构:南京电子器件研究所
研究主题:GAAS 砷化镓 PHEMT INP基 高电子迁移率晶体管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
朱赤
供职机构:南京电子器件研究所
研究主题:分辨率 光刻胶 流淌 线宽 特征尺寸
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王维波
供职机构:南京电子器件研究所
研究主题:W波段 MMIC GAN 太赫兹 功率放大器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
吴少兵
供职机构:南京电子器件研究所
研究主题:GAN 电子束直写 GAN高电子迁移率晶体管 功率放大器 低噪声放大器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李信
供职机构:南京电子器件研究所
研究主题:波长 KA波段 相控阵 数控 时延
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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