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杨香
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45
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H指数:3
供职机构:
中国科学院半导体研究所
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发文基金:
国家自然科学基金
国家高技术研究发展计划
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相关领域:
电子电信
金属学及工艺
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合作作者
杨富华
中国科学院半导体研究所
王晓东
中国科学院半导体研究所
韩伟华
中国科学院半导体研究所
樊中朝
中国科学院半导体研究所
何志
中国科学院半导体研究所
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杨富华
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:淀积 相变存储器 电极 纳米尺寸 相变材料
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王晓东
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:淀积 相变存储器 纳米尺寸 相变材料 微装配
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韩伟华
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:硅基 晶体管 纳米线 硅纳米线 硅衬底
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樊中朝
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:刻蚀 SOI 干法刻蚀 碳化硅 多模干涉耦合器
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何志
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:碳化硅 刻蚀 欧姆接触 HEMT器件 GAN
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赵永梅
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:碳化硅 3C-SIC 衬底 刻蚀 碳化硅材料
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刘胜北
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:碳化硅 刻蚀 半导体薄膜 肖特基二极管 势垒
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曾一平
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:分子束外延 衬底 碳化硅 氮化镓 缓冲层
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孙国胜
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:碳化硅 3C-SIC 衬底 4H-SIC SIC
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刘兴昉
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:碳化硅 衬底 外延层 刻蚀 碳化硅材料
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