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李晓兵

作品数：9 被引量：7H指数：2
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
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合作作者

领域

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资助

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  • 1个江苏省
  • 1个陕西省
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孔梅影
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：分子束外延 MBE GSMBE生长 GAAS GSMBE
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
孙殿照
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：分子束外延 GSMBE生长 氮化镓 GSMBE 半导体材料
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
曾一平
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：分子束外延 衬底 碳化硅 氮化镓 缓冲层
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
朱世荣
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：GSMBE生长 半导体材料 分子束外延 GSMBE 分子束外延生长
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王晓亮
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：氮化镓 GAN 铝镓氮 高电子迁移率晶体管 分子束外延
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
黄运衡
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：分子束外延 砷化镓 GAAS 半导体 GAASSB
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
林兰英
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：半导体材料 氮化镓 分子束外延 砷化镓 半导体
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李灵霄
供职机构：中国科学院
研究主题：GSMBE GSMBE生长 MBE 磷化铟 分子束外延
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张剑平
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：GSMBE 氮化镓 GAN 电子输运 GSMBE生长
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李建平
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：氮化镓 MOCVD GSMBE生长 GSMBE 碳化硅衬底
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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